台积电前总裁：中国大陆可能重新定义半导体，他们手里的光刻机能造5nm芯片，但3nm要花极大代价

中国企业不一定要跟你去争夺7nm、5nm的技术进度，他们可能会用另一种方法来达到这个目的。未来的半导体产业，可能会被他们重新定义。

PART.01

DUV真的能干到5nm？？

“中国企业不会跟你去抢7nm、5nm节点的名分，他们可能会用另一种方法完成同样的事。”这句话出自被称为“浸润式光刻之父”、台积电前研发副总裁林本坚。

这个人是什么段位？

一句话：如果没有他贡献的浸润式技术，今天的7nm、10nm节点根本不会出现。所以他的话还是有分量的。

他指出中国不一定去死磕7纳米和5纳米，甚至可以通过新材料、新架构，用7纳米的制程实现5纳米一样的功能，而不是进入传统先进制程的赛道，花费更多成本力气去争取5纳米甚至更先进制程。正如同冲击全球算力的DeepSeek一样，不用遵循常规路线，却能以更快、更好的方式达成目的。

听起来玄乎？其实一点不玄，甚至已经被验证过一半。中国企业的手中还有很多当年从ASML采购的浸润式DUV光刻机，这些光刻机可以通过多次曝光的技术制造7nm芯片，甚至是5nm芯片。只是，现在国际技术已经进入了EUV时代，用DUV去制造5nm芯片在理论上是可行的，不过需要付出极大的代价罢了。

PART.02

什么代价

林本坚的原话非常清晰：DUV造5nm理论可行，但代价巨大，不只是钱的问题，是时间、良率、产能全线拉爆的问题。

那代价到底大到什么程度？

① 多次曝光：你一次，我十次。EUV是一次曝光成像。DUV要想达到类似分辨率，就得——双重曝光、四重曝光、甚至八重图案化！光刻 → 刻蚀 → 清洗；再光刻 → 再刻蚀 → 再清洗……每多一次，风险翻倍，误差累积，良率直线往下掉。

台积电当年在7nm DUV时代，用多重图案化做到全球最好，为什么？因为他们每年往里砸几十亿美元，连一片光刻胶都能换几十种配方实验。中国企业要把5nm从DUV里“抠出来”？那得是更疯狂的工程量。

② 良率：初期可能个位数。7nm多重图案化时代，台积电早期良率都不到70%。5nm难度翻倍不止。中国企业如果冲这条路，起步很可能是：10%？8%？甚至5%？。但——国家队不怕，因为目标不是赚钱，而是路径打通。

③ 产能：基本上是“用命堆”。EUV机台生产一片芯片，也许只需几次核心步骤。DUV多重图案化的流程直接膨胀到十几步。一个EUV产能等于好几台DUV全天狂轰滥炸。这意味着：每一片5nm，都能贵到让财务总监心梗。

但站在供应链安全角度？再贵，也得做。

PART.03

世界上没有任何国家能做到这一点，除了中国

路透社之前拆解中国7nm时的观点是：“中国已经找到绕过封锁的技术路线。”美国专家也承认：“我们没想到中国还真的能把193nm DUV压榨到这种地步。”

林本坚的判断，正好对上美国智库的结论：中国不是在复制EUV，而是在走一条逼出来的新路线。这也是为什么他的发言如此震撼：作为浸润式光刻的设计者，他比全世界都更清楚这项技术的真实上限。既然他说“5nm可行”，那几乎就是官方认证。

为什么中国敢走这条“极限路线”？因为这是国家战略。商业公司不可能做亏本生意。但国家战略不同——目标不是财务回报，而是技术自主。

这几年你能看到：中芯国际在疯狂补贴下冲刺NXT机台极限；上海微电子全力推进国产浸润式平台；上下游材料厂在推光刻胶、先进化学品；全国产线在系统性磨合多重图案化流程。

这不是商业投资，这是战略攻关。所以中国企业敢做一件别人绝对不会做的事：用“烧钱+烧时间+烧研发资源”的方式，把先进制程硬掰出来。世界上没有任何国家能做到这一点！