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与 2025 年第四季度相比，截至 2026 年第一季度目前，内存价格已暴涨 80%-90%，其中 DRAM、NAND 及 HBM 均创下历史新高
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为缓解成本压力，原始设备制造商（OEM）正减少单款设备的内存配置，或优先推出搭载 LPDDR5 的高端产品线 —— 该领域的价格压力相对可控。
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2025 年第四季度，传统 DRAM 利润率已超过 HBM；预计 2026 年第一季度，厂商营业利润率将触及历史峰值，同时实现创纪录的盈利水平。
据 Counterpoint《2月内存价格追踪报告》显示，截至 2026 年第一季度，内存价格环比上涨 80%–90%，迎来前所未有的创纪录暴涨。本轮上涨的主要推手是通用服务器 DRAM 价格大幅攀升。此外，第四季度表现相对平稳的 NAND 闪存，在第一季度也同步上涨 80%–90%。叠加部分 HBM3e 产品价格走高，市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。
以服务器级内存为例，64GB RDIMM 合约价已从第四季度的 450 美元，飙升至第一季度的 900 美元以上，且二季度有望突破 1000 美元关口。
2025 年第二季度至 2026 年第二季度（预测）：PC 及服务器内存价格走势
来源：Counterpoint内存价格追踪报告
高级分析师Jeongku Choi 强调：“对设备厂商而言，这是双重打击—— 零部件成本上涨叠加消费者购买力减弱，随着本季度推进，需求很可能放缓。这就要求原始设备制造商（OEM）改变采购模式，或聚焦高端机型，通过为消费者提供更多价值来支撑更高的产品定价。”
智能手机厂商正在削减设备 DRAM 容量，或采用性价比更高的 QLC 方案替代 TLC 固态硬盘。与此同时，目前供应紧张的 LPDDR4 订单明显下滑，而支持最新 DRAM 标准的全新入门级芯片陆续推出，带动 LPDDR5 订单持续增长。
Jeongku Choi进一步指出：“存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的高度。2025 年第四季度，DRAM 营业利润率已达到 60% 区间，这是通用 DRAM 利润率首次超过 HBM。2026 年第一季度，DRAM 利润率将首次突破历史峰值。尽管如此，这一水平要么成为新的常态，要么形成极高的基准 —— 当前看似稳固，但一旦进入下一轮下行周期（若发生），市场表现可能会更加惨淡。”
