AI数据中心的高速扩张，早已引发供应链紧张，不仅冲击了DRAM与NAND市场，如今连NOR闪存也被卷入其中。
报道指出，随着AI服务器需求持续攀升，服务器内部所用的NOR闪存需求也同步走高。无论是AI服务器，还是嵌入式服务器等设备，都会采用NOR闪存来存储引导代码、固件、元数据配置等低延迟程序。这类代码可直接运行，无需先加载到DRAM中。
据《商业时报》消息，如今一个GPU服务器机架内可搭载多达30颗NOR芯片，单套英伟达GB200NVL72系统中NOR成本已高达600美元，业内预计未来几年这一成本或将上涨至900美元。
NOR与NAND闪存的数据存储原理相似，但访问存储单元的方式截然不同。
NOR单元采用并联结构，每个单元的漏极直接与位线相连，源极共用公共线路，支持对单个或小批量单元进行直接随机访问。
NOR闪存图
NAND单元体积更小，采用串联结构，仅链路两端连接位线与源线，访问时必须遍历整条链路。NAND以“页”为单位进行读写，而非单个比特，读取一个单元时，需要先导通链路中其他单元作为传输管，一个NAND块包含多页，可实现批量写入。
NAND闪存图
两种架构差异带来了不同的读写特性：NOR闪存随机读取速度快，但写入速度不及NAND；同时NOR可在更高温度环境下稳定工作，更适配汽车与工业级应用场景。
中国台湾厂商旺宏电子（Macronix）同时生产两类存储芯片，也是NOR闪存的核心供应商之一。公司总裁卢志源表示，面向AI服务器与高性能计算设备的2DNOR闪存需求十分旺盛。
为应对NAND闪存的旺盛需求，旺宏正扩大NAND产能，这也使得其3DNOR芯片的量产计划推迟两年。
同为中国台湾厂商的华邦电子（Winbond）同样布局两类产品，计划将NOR闪存产能同比提升30%–40%。其总裁陈建民称，今年与明年的产能已被全部预订，涵盖DRAM、NOR及NAND闪存，他判断本轮行业上行周期仍将维持较长时间。
