【区角快讯】随着高带宽内存（HBM）和NAND闪存在人工智能算力架构中的核心地位日益凸显，美国科技企业正对韩国半导体人才展开系统性争夺。多家国际巨头已启动针对三星电子与SK海力士工程师的定向猎聘行动，意图削弱这两家韩企在高端存储市场的长期技术优势。
2026年2月初，英伟达公开招募HBM开发工程师，开出258,750美元（约合178万元人民币）的基础年薪；苹果则于上月发布NAND产品工程师岗位，提供305,600美元（约210万元人民币）的年度薪酬。除美国企业外，中国台湾的联发科亦加入战局，以约26万美元年薪招揽HBM领域专家；高通则在韩国本地启动3D DRAM研发人才招聘。
与此同时，谷歌与其TPU芯片合作伙伴博通正同步在硅谷扩充HBM相关团队，前者聚焦性能评估工程师，后者则寻求高频接口设计验证专家。特斯拉首席执行官马斯克更亲自转发其韩国分公司AI半导体设计师的招聘公告，引发市场高度关注。美光科技自2025年下半年起持续从三星与SK海力士挖角，据传为关键HBM专家提供高达现薪两倍的待遇，并附加3亿韩元签约奖金。
面对严峻的人才外流压力，韩国两大存储龙头迅速反击。SK海力士于2026年初发放创纪录的绩效奖金，金额相当于员工月薪的2964%；三星半导体部门亦向员工发放占年度总薪资47%的特别奖金，创下AI内存热潮以来的历史新高。
这场全球存储人才争夺战，不仅折射出AI时代“存力即算力”的产业逻辑，更预示着半导体竞争已从产能与制程延伸至最核心的人力资本层面。
