【区角快讯】随着人工智能计算需求激增，高带宽内存（HBM）正迅速取代传统DDR内存，成为全球存储芯片产能争夺的核心焦点。据快科技3月15日报道，AI对高性能内存的海量消耗，已直接导致DDR内存供应持续紧张。
此前，SK海力士凭借先发优势在HBM市场超越三星，成为英伟达AI GPU的主要供应商。然而，三星近期宣布实现全球首个HBM4内存的量产，成功扭转局面。更进一步，该公司计划在即将推出的HBM4E产品中全面升级制造工艺：内存芯片将采用1c节点技术，而底部基底芯片（base die）则直接跃迁至2nm制程。
相较之下，三星当前HBM4仍基于其4nm工艺打造，而SK海力士的HBM基底芯片至今仍依赖台积电12nm工艺，凸显三星在技术路线上的激进策略。业界预计，2nm工艺的引入将在发热控制、能效表现及芯片利用率等关键指标上带来显著提升，有望强化三星在高端HBM市场的竞争力。
按规划，标准版HBM4E内存将于2026年年中正式推出，定制版本则安排在下半年上市。不过，SK海力士并未止步，其定制版HBM4E亦计划采用台积电3nm工艺，部分性能参数或略优于三星2nm方案。
值得注意的是，三星2nm工艺此前因Exynos 2600芯片的量产问题备受质疑，如今已实现稳定大规模生产，性能与能效均达到可用标准。特斯拉已追加订单，推动该工艺产能大幅扩张，预计月产晶圆量将超过4万片，较此前翻倍有余。
这场由AI驱动的存储技术竞赛，正加速推动半导体制造工艺向极限演进，也标志着HBM已成为决定算力格局的关键战场。
