SAIMEMORY正将其专有的ZAM定位为HBM的潜在继任者。
据报道，随着物理极限开始制约当前的AI架构，由软银支持的日本初创公司SAIMEMORY正将其专有的Z-Angle Memory(ZAM)定位为高带宽内存(HBM)的潜在继任者。
SAIMEMORY成立于2024年12月，并获得了英特尔的技术支持。该公司于2025年7月开始全面运营，并于2026年2月在东京举行的英特尔开发者活动上首次公开亮相。
这一举措出台之际，内存性能正难以跟上AI处理器快速发展的步伐。过去五年中，英伟达(Nvidia)的GPU性能提升了5到10倍，而同期HBM的数据传输速度仅提高了2到3倍。
HBM通过水平堆叠内存裸片来实现性能提升，但这种方法正接近其物理极限。目前的设计已达到16层，而扩展到20层以上则日益受到功耗和散热挑战的制约。
SAIMEMORY首席执行官Hideya Yamaguchi表示，现有内存技术可能会在2030年左右达到极限，届时公司计划推出ZAM。
与传统的HBM不同，ZAM采用沿Z轴排列内存裸片的垂直堆叠结构。这种设计旨在改善散热，并将堆叠容量从大约20层扩展到多达100层，同时提升性能并降低功耗。
该架构还有助于应对AI数据中心不断增长的能源需求。SAIMEMORY的目标是实现2到3倍于HBM的内存容量，功耗仅约为其一半，价格相当或更低，同时提高数据传输速度。
SAIMEMORY计划专注于知识产权和设计，将制造外包给合作伙伴。原型生产预计将涉及新光电气工业(Shinko Electric Industries)和台湾的力晶积成电子制造股份有限公司(PSMC)，并获得日本经济产业省的支持。
该公司正在推行以合作伙伴为驱动的生态系统战略，利用与英特尔和软银的关系，同时寻求更多全球合作伙伴。Yamaguchi表示，SAIMEMORY还可能通过授权或合同制造的方式与现有内存制造商合作。
这家初创公司目前拥有约30名员工，并正在继续扩张。
SAIMEMORY也可能成为日本更广泛半导体政策推动的一部分。根据2025年8月生效的修订法律，政府可以直接投资包括内存公司在内的半导体企业。在向Rapidus投资1000亿日元之后，官方表示可能会考虑投资像SAIMEMORY这样的AI内存公司。
SAIMEMORY计划在2027财年前投资80亿日元开发原型，目标是在2029财年左右实现商业化。
这一努力正值内存供应趋紧和价格上涨之际。根据Counterpoint Research的数据，预计2026年第一季度DRAM价格将环比上涨约90%。
预计富士通(Fujitsu)和理化学研究所(RIKEN)将提供额外投资，有猜测称ZAM可能会被应用于日本“富岳”(Fugaku)超级计算机的继任者中。
Yamaguchi表示，公司已经看到了潜在客户的浓厚兴趣，尽管扩大组织规模和寻找合作伙伴仍然是关键挑战。
美光：DDR5利润率现已超过HBM
美光科技公司表示，包括DDR5在内的传统DRAM的利润率最近已经超过了HBM的利润率，这反映了长期合同结构和供应紧张状况的综合影响。
据美光公司称，HBM 和传统 DRAM 目前利润都很丰厚，但通用 DRAM（包括用于 PC 和智能手机的产品）的利润率已经超过了 HBM。HBM 采用先进封装技术将多个 DRAM 芯片堆叠在一起，通常制造工艺更复杂，价格也更高。自去年以来，受英伟达和 AMD 等公司推出的 AI 加速器推动，对 HBM 的需求激增。
利润率动态变化的原因主要有两个。
首先，HBM 的供应越来越受长期协议的制约，美光将其称为战略客户协议 (SCA)。首席商务官 Sumit Sadana 表示，HBM 的价格通常在年初之前就已确定，2026 年出货量的很大一部分是在去年年底定价的。虽然此类协议能够提供稳定且可预测的收入，但除了超出合同供应量的增量生产外，它们限制了存储器制造商立即从价格快速上涨中获利的能力。
其次，传统DRAM市场受益于强劲的需求和受限的供应。HBM的生产比标准DRAM消耗更多的晶圆产能，从而减少了通用产品的可用供应。与此同时，数据中心服务器和消费电子设备的需求依然强劲，导致供应短缺。
受此影响，DRAM现货价格飙升。美光表示，DRAM平均售价近期上涨超过60%，使得传统DRAM利润率能够反映实时价格上涨，而HBM价格则基本受合同约束。
尽管DRAM短期内具有盈利优势，但美光表示，公司不会采取纯粹以利润为导向的产品分配策略。相反，公司正在推行一种平衡的战略，以满足客户的全部系统需求，尤其是在人工智能服务器领域。
现代人工智能服务器部署需要HBM和DDR5 DRAM的组合。如果只优先考虑利润率更高的产品，可能会延迟客户发货，最终损害美光自身的营收表现。
首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra)强调了产品类别之间需要保持平衡，并指出大规模系统出货需要“自然平衡”，而且 HBM 和 DRAM 必须作为完整解决方案的一部分一起供应。
