台积电美国工厂，提供这类封装

晶圆代工龙头台积电在2025 年3 月时宣布，计划增加1,000 亿美元投资于美国先进半导体制造，其中包括了3 座新建晶圆厂、2 座先进封装设施以及1 间主要的研发中心。而在过去几个月里，台积电已经加快了美国亚利桑那州凤凰城Fab 21 的兴建进度，已开工兴建了第3 座晶圆厂。

对此，根据ComputerBase 报导，台积电计划在Fab 21 附近建造两座专用建筑，在当地提供先进封装服务。首个先进封装设施AP1 计划2028 年开始兴建，与Fab 21 的第三阶段间建计划同步，可以为N2 及更先进的A16 制程技术服务。第二座先进封装设施AP2将与Fab 21 的第四/五阶段同步，但是还没有具体的动工日期。

至于，两座先进封装设施将专注于CoPoS 和SoIC 封装技术。其中，CoPoS 先进封装将使用310×310 mm 的矩形面板取代传统的圆型晶圆，也就是将CoWoS「面板化」，将芯片排列在方形的「面板RDL 层」，取代原先圆形的「硅中介层」（silicon interposer），透过「化圆为方」提升面积利用率与产能。

而SoIC 先进封装技术则是在运算核心下方堆叠暂存或记忆体芯片，这一技术已经在AMD Ryzen X3D 处理器中得到了验证。台积电计划在2026 年启动CoPoS 测试生产工作，目标2027 年末完成与合作伙伴之间的验证工作，以保证赢得包括辉达、AMD 和苹果在内主要客户的订单。

报导指出，由于AP1 预计要到2029 年末或2030年初才能开始投入运营，这就与台积电的交货时间惯例保持一致。

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