单季利润2610亿元！三星的“AI印钞机”，火力全开

4月7日，三星电子公布了一季度初步业绩，该公司一季度营业利润达57.2万亿韩元（约合2610亿元人民币），环比增长185%，同比增长755%。该季度三星电子销售额133万亿韩元（约合6064亿元人民币），环比增长41.7%，同比增长68%。

同时，SK海力士、美光等存储巨头同样捷报频传，AI浪潮正在掀起一场史无前例的存储芯片超级周期。

57.2万亿韩元从哪里来？

根据三星电子财报，一季度营收133万亿韩元，营业利润57.2万亿韩元，均超此前市场预期。其中，DS（半导体）部门贡献了约42万亿韩元，占总利润比例超过七成。

驱动三星这轮业绩爆发的主引擎：

HBM（高带宽内存）业务营收同比增长超300%，三星率先实现第六代HBM4芯片商用出货，随后又推出了更尖端的第七代HBM4E芯片。三星与AMD签署了HBM4芯片供应协议，英伟达也将采用其4纳米工艺生产处理器。

通用DRAM量价齐升。2026年第一季度，DRAM合约价环比暴涨90%-95%，NAND闪存涨幅达55%-60%。部分手机专用LPDDR5X内存、UFS4.1闪存现货价累计涨幅更超过300%。

存储芯片市场正加速向AI应用转型。随着AI数据中心对产能的剧烈占用，面向智能手机、PC和游戏主机等传统领域的芯片供应受到显著挤压，供需失衡直接推高了产品单价。花旗分析师指出，全球DRAM产品平均售价在一季度实现了高达64%的环比增长。

从HBM3E“追赶者”到HBM4“领先者”

时间倒回2025年，三星还是HBM赛道上的“追赶者”。2025年第二季度，三星的12层HBM3E芯片迟迟未能通过英伟达的认证，导致其在AI热潮中错失良机。竞争对手SK海力士早已完成英伟达验证并稳定出货，美光也在2025年6月宣布交付样品。HBM3E认证迟迟未过，直接导致三星2025年Q2营业利润同比暴跌56%。三星半导体负责人在股东会上承认，在HBM市场早期落后是一大教训。

一年后的今天，局面已天翻地覆。

2026年2月，三星率先在业内启动HBM4量产出货。紧接着在3月英伟达GTC大会上，三星公开展出第七代HBM4E芯片实体，同时强调自己是全球唯一能够为英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”提供“总内存解决方案”的企业，涵盖内存、逻辑、代工和先进封装四大领域。

从HBM3E时代被英伟达拒之门外，到HBM4时代成为英伟达核心合作伙伴，三星仅用一年时间完成了从“追赶”到“引领”的逆转。这场反转为整个存储行业揭示了清晰的启示：在技术壁垒日益高筑的存储竞赛中，容错空间正在急剧收窄，从掉队到归来的窗口期，越来越短。

结构性矛盾继续蔓延？

三星57.2万亿韩元的业绩固然耀眼，但更值得关注的是这组数字背后隐藏的产业链裂痕。

产能转移的微观机制值得深挖。单台AI服务器的DRAM需求是传统服务器的8-10倍，NAND需求是传统服务器的3倍以上，而HBM作为AI芯片的核心配套，每bit消耗的晶圆产能是传统DRAM的3倍。

面对AI服务器庞大的市场规模，三星、SK海力士、美光三大巨头已将70%-80%的先进产能转向利润更高的HBM及AI专用DDR5产品，消费级存储芯片的产能占比已从2025年的38%下滑至2026年Q1的约25%。TrendForce预计，新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出，短期内供应缺口难以填补。