【区角快讯】据三位知情人士透露，中国存储芯片领军企业长江存储（YMTC）已正式敲定新一轮产能扩张方案。除即将于2026年在武汉竣工的三期晶圆厂外，公司还计划新建两座全新晶圆制造基地。待全部项目落地后，其整体晶圆月产能将实现翻倍增长。
目前，长江存储已在武汉建成两座晶圆厂，合计月产能为20万片12英寸晶圆。此次规划中的三座新工厂，每座满产后均可贡献10万片/月的产能。其中，三期工厂的设备安装工作现已启动，预计2026年底投入量产，并于2027年达成5万片/月的阶段性产能目标。
三期项目最受业界瞩目的亮点在于，其国产半导体设备采购比例首次突破50%，成为长江存储旗下首个国产化率过半的晶圆厂。截至目前，该公司整体设备国产化率约为45%，在国内晶圆制造领域处于领先地位。此前的一期与二期工厂，核心工艺设备主要依赖欧美供应商。自2022年被美国列入实体清单后，包括ASML在内的海外设备厂商对其供货渠道已被实质性切断。
在三期工厂中，国产设备已覆盖3D NAND垂直堆叠等关键制程环节，中微公司（AMEC）是其重要的本土设备合作伙伴之一。相较之下，当前国内其他晶圆厂的设备国产化率普遍仅为15%至30%。因此，三期项目的顺利运行，将成为检验国产设备能否支撑3D NAND大规模量产良率的关键试金石，而该目标能否如期实现仍存在一定不确定性。
后续两座新厂的推进节奏，将直接取决于三期工厂的量产验证成效。为加速半导体设备自主化进程，相关主管部门已投入并计划继续拨付数百亿元专项资金，以支持本土技术向国际先进水平靠拢。
除巩固NAND闪存主业外，长江存储亦在DRAM领域迈出实质性步伐。据悉，公司已向客户送测低功耗DRAM（LPDDR）样品，并预计于2026年底前获得反馈，以指导后续生产决策。
市场数据显示，2025年长江存储在全球NAND闪存市场的份额为11.8%，与西部数据旗下的闪迪持平。三星以30.4%的市占率稳居首位，SK海力士、铠侠和美光则分别占据16%、15.9%和13.3%的份额。Yole集团预测，到2028年，长江存储的全球市场份额有望提升至15%。在技术层面，其Xtacking 4.0架构已实现约270层3D NAND的量产，虽暂落后于SK海力士的321层4D NAND及三星286层第九代V-NAND，但差距正在快速缩小。
在全球存储巨头主动收缩NAND产能的背景下，长江存储的逆势扩张不仅重塑产业格局，更标志着中国半导体产业链在设备自主与制造能力上的系统性突破。
