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据业界消息，三星电子自2026年4月起专门为特斯拉增产GDDR6内存，同时收缩部分通用存储产品线，并因良率未达标准，暂停下一代1d DRAM量产计划。
为特斯拉专供GDDR6 月供应量扩至4倍
韩媒Edaily报道，三星已在韩国华城厂区启动8Gb GDDR6产能爬坡，以满足特斯拉持续增长的需求。目前三星对特斯拉的GDDR6月供应量已提升至2026年一季度的4倍。特斯拉自2026年初便持续要求增加DRAM供货，1月曾提出5倍以上的增量需求。该GDDR6主要用于特斯拉车载信息娱乐系统（IVI）与自动驾驶运算单元。
在头部存储厂商普遍优先布局HBM的背景下，三星此举备受关注。分析师指出，即便科技巨头也面临存储供应紧张，通用型DRAM短缺推动价格上涨，迫使大厂提前锁货。
三星并未扩大整体GDDR6产能，反而将产品线从3个系列精简为基于10nm级1z工艺的单一VF系列，以最大化盈利。即便如此，三星仍优先保供特斯拉，凸显其作为战略客户的重要性。
除GDDR6外，三星还为特斯拉AI5自动驾驶芯片供应LPDDR5X内存，并通过晶圆代工业务生产AI4芯片。三星计划2027年起在德州泰勒厂以2–3nm先进制程为特斯拉生产AI5与AI6芯片。对兼具存储与代工业务的三星而言，特斯拉是稳定营收的核心客户。
1d DRAM良率不足 量产计划全面叫停
据IT Chosun报道，三星在评估良率与投资回报率后，正式取消第七代10nm级1d DRAM量产计划，原定于2026年一季度通过量产准备认证（PRA）后投产的方案终止。
1d DRAM是三星下一代HBM路线图的关键技术，HBM5E需依赖1d DRAM，而HBM4、HBM5仍可使用1c DRAM。该变故引发业界担忧，或导致三星新一代HBM进度延后。
这与三星存储研发负责人在2026年英伟达GTC大会上的表态相悖，当时其对1d工艺用于HBM5E充满信心。内部人士透露，管理层判定当前良率未达标，且无客户愿意采用或等待，强行量产将面临巨大财务风险。
半导体行业中，良率每相差1%，便会对千亿韩元级盈利产生显著影响。分析师认为，三星目前缺乏足够客户需求，难以支撑1d DRAM商业化所需的巨额投入。
研发团队闲置 落后SK海力士风险上升
1d DRAM量产计划取消后，约400名专项任务部队人员处于闲置状态。该团队已运作两年，目标直指量产，但认证进度滞后，工程师仅能交流开发信息，无法推进量产。
内部担忧加剧，主要竞争对手SK海力士已完成1d DRAM开发，良率突破50%并具备量产条件。三星2025年同步推进1c与1d DRAM研发，分散资源，面临被专注单一世代的对手反超风险。
消息称，三星将无限期推迟1d DRAM量产，直至良率达标，目前正全面重新评估工艺路线，优先提升良率表现。
产业深度解读
三星一边优先保障特斯拉车载与自动驾驶存储、芯片订单，一边暂停先进DRAM量产，折射出“保战略客户、砍低效投入”的清晰策略。车载AI算力需求持续爆发，使特斯拉成为存储与代工双领域的优质客户；而1d DRAM良率与需求双不足，及时止损可避免巨额亏损。
此次暂停也凸显存储制程竞赛白热化，SK海力士在1d DRAM领先，或将在HBM5E世代抢占先机。存储厂商正从“全面扩产”转向“聚焦高毛利、高刚需赛道”，HBM、车载存储、AI定制化存储成为资源倾斜重点，通用型存储产能持续收缩。
原文标题：Samsung reportedly ramps up GDDR6 supply for Tesla but halts 1d DRAM mass production plan
原文媒体：digitimes asia
