据韩国媒体报道，三星电子已成功制造出全球首款制程低于10纳米（nm）的“次10纳米”DRAM工程裸片，标志着存储器产业正式突破了长期以来的物理极限。
韩媒《The Elec》报道指出，长期以来，DRAM产业的微缩技术主要依赖10纳米级别的工艺（世代涵盖1x、1y、1z、1a、1b、1c至1d）。如今，三星正全力开发全新的“10a”工艺技术。市场分析指出，10a工艺将使线宽进一步缩小至9.5到9.7纳米之间，成为业界首个跨入个位数纳米级别的次10纳米（sub-10nm）工艺技术。
报道称，日前，三星在以10a工艺生产出晶圆后，通过测试晶粒特性，成功确认了工程裸片的诞生。目前，三星正计划通过调整工艺条件来迅速提升并确保良率。
报道表示，这项革命性突破的两大核心技术，在于首度应用了“4F2单元结构（4F Square Cell Structure）”以及“垂直沟道晶体管（VCT，Vertical Channel Transistor）”工艺。现今的DRAM产品普遍采用6F2结构（即3Fx2F的长方形区块），而全新的4F2结构则转变为更紧凑的方形设计（2Fx2F）。仅通过这项结构上的改变，就能将每个集成电路的单元密度大幅提升30%至50%，这不仅能提供更大的存储容量，更能有效降低功耗。
此外，新款DRAM在材料应用上也有所革新，舍弃了过去产品使用的硅（Si），转而采用铟镓锌氧化物（IGZO）等新型材料。由于新一代的存储单元更为狭窄，引入IGZO能有效减少漏电问题，确保数据的良好保存性。
根据三星的发展蓝图，搭载这些新技术变革的10a DRAM预计将于2026年完成开发，并将量产时间定于2028年。4F新结构将在10a世代率先采用，并于未来的10b与10c世代中持续优化。而后继的“10d”世代DRAM则预计将全面迈入“3D DRAM”技术领域，并计划于2029至2030年间问世。（文章来源：科技新报）
推荐阅读
