替代DUV，光芯片赛道迎来国产首台纳米压印光刻机

在这一产业背景下，2026年6月5日，璞璘科技向深圳力策科技正式交付PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻机，并同步宣布：基于该设备，双方已成功实现8英寸光芯片晶圆的规模化量产验证。整个制造过程完全绕开深紫外（DUV）光刻路线，单片芯片制造成本被压缩至传统DUV方案的十分之一。

当前，AI 算力爆发正持续拉动硅光芯片、光通信模块和光互联器件需求。在此节点上，璞璘科技纳米压印光刻机的全晶圆量产，不仅打破了纳米压印装备的海外垄断，更提供了一条“成本可控、良率达标、可规模复制”的DUV替代之路。

自纳米压印技术进入半导体视野以来，全球只有极少数企业（如佳能）能够提供半导体级量产设备。受出口管制影响，国内晶圆厂长期无法自由获取此类装备。

2025年8月，璞璘科技率先打破装备垄断，交付了中国首台半导体级步进式纳米压印光刻系统 PL-SR。该设备采用喷墨步进式工艺，其定位主要是面向先进集成电路、硅基微显等领域的工艺开发。

而本次交付的 PL-AS 则是半导体级真空气压式纳米压印光刻机，完成了从“装备突破”到“工艺替代”的完美一跃。它不走步进路线，而是采用面接触压印原理，专为晶圆级全幅面量产打造，这使其更适合光芯片的大面积微纳结构复制。PL-AS不是一台实验室级别的验证设备，而是一台可以直接替换产线中DUV光刻机的量产型装备。

图源：璞璘科技官网

从 PL-SR 到 PL-AS，璞璘科技完成的并不是简单的设备迭代，而是纳米压印从工艺开发走向产线量产的路线跨越。前者解决了国产半导体级纳米压印装备“有没有”的问题，后者则进一步回答了这一路线能否在光芯片制造中稳定量产、降本并替代部分 DUV 工艺的问题。

长期以来，纳米压印被视为DUV光刻的有力挑战者，但但从实验室走向产线并不容易。传统辊压工艺虽产能高，但由于本质上是线接触，导致残余层厚度不均，无法满足光芯片的严苛标准；而步进式压印精度虽高，但逐区域压印天然限制了效率，难以支撑大规模量产。

PL-AS所采用的真空气压式方案，从原理上破解了这一困局：

其核心是面接触压印。气体像“空气垫”一样对模板施加均匀压力，晶圆上每一个纳米单元受力完全一致，残余层厚度偏差可控制在<2nm——这是光芯片制造的核心生死线。

同时，真空环境从根本上避免气泡缺陷，填充率远超辊压工艺。

更重要的是，它的结构简化，无需DUV光刻中复杂昂贵的光学系统，设备投资与维护成本大幅下降，这也是其能够在光芯片制造中实现显著降本的关键原因，据悉，大约能使单片成本降至DUV的十分之一。

在核心性能指标上，PL-AS的设备性能已全面对标国际主流：线宽<10nm，对准精度可定制百纳米以内，压力均匀性误差低于0.5%，支持硬质模板及曲面衬底。

本次与力策科技的合作并非孤例。璞璘科技的纳米压印量产方案已在多个光芯片细分赛道完成客户验证：

纳米压印光刻已量产的激光雷达芯片

硅光波导

这些案例共同指向一个趋势：在光芯片领域，纳米压印已不再是“备胎”，而是成为比DUV更具成本优势的量产首选方案。

璞璘科技在纳米压印光刻领域的突破的意义，可以从三个维度理解：

不是简单的“绕开专利”，不是停留在论文或小样阶段，而是在8英寸晶圆上实现了规模化量产验证，良率和一致性满足商业化要求。这对于长期被“光刻=DUV/EUV”思维锁定的半导体制造界，是一次认知上的重大刷新。

光芯片（包括激光雷达芯片、光通讯芯片、硅光芯片）对制造成本极其敏感，DUV方案的高昂费用长期制约着自动驾驶、AI算力互联等应用的规模化落地。PL-AS将成本降至DUV的十分之一，意味着上游物料成本的实质性松绑，下游创新应用将获得更大的商业空间。

璞璘科技同时掌握气压、辊压、步进式三种核心工艺，并自主配套定制化双层压印胶材料体系。这意味着中国在纳米压印领域不仅拥有单一设备，更拥有从材料到工艺的全闭环能力。

过去几十年，半导体光刻领域的话语权一直被西方和日本设备巨头牢牢掌控。中国在DUV和EUV路线上长期处于追赶状态。而璞璘科技用PL-AS证明：在光芯片这一细分但至关重要的战场上，中国企业完全有能力通过原理创新和工程化突破，走出一条更高性价比、更快产业化、更自主可控的新路。

*免责声明：本文基于公开资料撰写，仅供行业学习与交流，不构成任何投资建议。*

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