存储巨头，竞逐400层NAND

SK海力士今年将推出375层NAND闪存，未来几年还将推出480层/604层后续产品。

SK海力士和三星正在竞相研发NAND闪存层数最多的产品。三星的目标是突破400层，其双层堆叠解决方案最高可达1000层；而海力士即将开始量产其375层NAND闪存。

SK海力士预计将于2026年底开始量产其375层NAND闪存解决方案，提供更高的存储容量。

据The Elec消息人士透露，SK海力士已完成其375层NAND闪存解决方案的验证，并将很快在其晶圆厂内推进该解决方案的量产。量产将在现有晶圆厂进行，这些晶圆厂将进行改造以支持新的NAND工艺。目前，这些晶圆厂正在生产321层V9 NAND闪存解决方案及其他产品。

据悉，SK海力士内部将375层NAND闪存芯片称为“400层”。之所以决定去掉多余的层数，是因为在芯片上堆叠过多层时遇到了困难。SK海力士正在研发未来的产品，例如480层和604层NAND闪存芯片，但这些产品需要采用不同的技术方案。

一位业内人士表示：“之前被描述为400层级NAND的产品现在被修正为375层。未来还将推出480层和604层的产品。”

这种方法是用钼膜取代现有的钨膜。由于钨膜在布线键合变窄时无法承受高电阻，因此新材料将有助于解决使用钨膜时遇到的信号传输问题。钼膜具有更好的电阻性能，三星已经在使用。三星预计今年还将优化其NAND工艺，推出首款400层V-NAND产品。

存储需求的增长也将意味着NAND闪存制造商有望获得丰厚的利润。但与此同时，他们也需要采购大量原材料才能开始量产。钼的需求将出现大幅增长。三星去年采购了4吨钼，今年迄今为止已采购了10吨，而SK海力士预计也将消耗约4吨。预计到2027年，钼的总需求量将增至25吨，2028年增至40吨，2029年增至60吨，到2030年将达到惊人的80吨。

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