2026 年 5 月 27 日，苏州中院对英诺赛科起诉英飞凌发明专利侵权两案做出英诺赛科胜诉的判决：英飞凌被判侵犯英诺赛科的两项氮化镓核心发明专利，并判英飞凌立即停止销售、许诺销售、进口等行为，并赔偿英诺赛科损失合计1000 万元，立即生效。
英飞凌不服苏州中院上述判决，向最高人民法院申请复议。上周五（6月12日），最高人民法院正式出具复议裁定，全盘驳回英飞凌的全部复议请求，维持苏州中院的禁令判决，为这场专利对决最后盖棺定论。
这意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售，英诺赛科取得了专利侵权案的最终胜利。
关键时间线
2025 年初：英诺赛科向苏州中院起诉英飞凌侵权
2025-11-19：国知局维持英诺赛科两项专利有效
2026-04：北京知识产权法院驳回英飞凌无效诉讼
2026-05-27：苏州中院一审：英飞凌侵权，禁售 + 赔偿 1000 万
2026-06-12：最高法：驳回英飞凌复议，维持禁售令，即刻生效
英飞凌（Infineon Technologies AG）是总部位于德国慕尼黑的全球半导体巨头，1999 年从西门子半导体部门独立，目前为全球功率半导体、车规芯片领域龙头企业，业务覆盖汽车电子、工业控制、电源管理、安全芯片四大板块。其推出的 CoolGaN™氮化镓系列产品广泛应用于消费快充、服务器电源、光伏逆变等场景，也是第三代半导体氮化镓技术的主要厂商之一。近期该公司因两项氮化镓核心专利侵权纠纷，其相关 GaN 产品被中国法院裁定在境内禁止销售、进口与许诺销售。
英诺赛科（Innoscience，shturl.c）是中国本土、全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体 IDM 企业，2015 年由骆薇薇博士创立，总部位于珠海，在苏州、珠海建有全球仅有的两座 8 英寸硅基氮化镓量产晶圆厂。公司为全球首家实现 8 英寸 GaN 量产的厂商，技术覆盖 15V–1200V 全电压谱系，产品包括 GaN 功率器件、IC 及模组，广泛应用于消费快充、数据中心、新能源汽车及工业电源等领域。截至 2025 年底，英诺赛科 GaN 功率器件出货量累计超 20 亿颗，全球市占率约 33.7%，位居第一。
