下一代DRAM，定了

三星电子下一代DRAM的量产计划正在逐步成形。据悉，该公司目前正与多家合作伙伴共同研发用于量产第七代10纳米（1D）DRAM的设备，并计划最早于明年第二季度推出。

据业内人士17日透露，三星电子计划最早于明年上半年开始为1D DRAM的初步量产做准备。

1d 是一种电路线宽为 10 至 11 纳米 (nm) 的 DRAM。目前商用的最新一代产品，即第六代 10 纳米级 (1c) DRAM，其线宽经评估为 11 至 12 纳米。线宽越窄，DRAM 的性能和能效就越好。

三星电子一直在进行内部量产评估，包括生产1D DRAM的初始样品。虽然有人预测三星电子最早将于今年开始量产1D DRAM，但也有人质疑这一预测是否现实。这是因为生产1D DRAM所需的关键设备仍处于研发阶段。

据报道，三星电子计划于明年第二季度推出目前正在与合作伙伴洽谈的1D DRAM量产设备。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。

一位半导体行业人士解释说：“三星电子正与主要合作伙伴积极开展研发工作，以稳定一维DRAM的良率和性能。虽然时间表可能会有所调整，但目标是在明年第二或第三季度推出量产设备。”

另一位官员表示：“三星电子的1D DRAM工艺发展进度相对较快，我们预计明年开始量产。”他补充说：“计划预计将在今年年底左右实现。”

三星电子的1D DRAM预计将在其人工智能内存业务中发挥至关重要的作用。特别是，它计划被用作第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品预计将于2029年实现商业化。