EUV光刻机，迈向Hyper NA

到现在，几乎每个人都熟悉ASML，它是世界上唯一一家提供EUV（极紫外）光刻机的公司。

随着超大规模数据中心持续积极地扩展计算能力，我们不断发现詹森提出的五层人工智能模型几乎每一层都存在新的瓶颈，甚至细致到由一家MSG制造商提供的绝缘薄膜。然而，尽管不断涌现出新的瓶颈，人工智能构建始终面临着一个关键的制约因素：领先的晶圆厂采用尖端工艺节点生产晶圆的能力。

换句话说，瓶颈在于EUV光刻产能，因为所有7纳米以下的制程节点都需要EUV光刻技术。对于代工厂而言，提高EUV设备的正常运行时间和利用率可以增加产量，但这种提升存在一定的局限性。由于每年EUV设备的产量有限，且代工厂都在争相抢购配额，随着我们迈入超大规模时代，EUV产能瓶颈问题依然严峻。ASML自然也意识到了这一点，因此一直以来都将高数值孔径（High-NA）技术视为EUV的下一步发展方向。

这项技术无需多次曝光即可打印更小的特征，显著降低了持续缩小工艺节点的复杂性。英特尔是最早（也是最积极）采用这项技术的公司之一，他们发现，从 0.33 NA EUV（被认为是低数值孔径）升级到 0.55 高数值孔径 EUV，可以将曝光次数从 3 次减少到 1 次，掩模工艺的步骤数量也会相应减少。

首台 0.55 NA 光刻机（具体型号为 EXE:5000）于 2023 年第四季度交付，又过了将近一年时间，即 2024 年第三季度，才在其上曝光了第一片晶圆。该机器每小时可处理 110 片晶圆（WpH），其后续机型 EXE:5200B 于 2025 年第四季度首次交付给客户，每小时可处理 175 片晶圆（使用 2025 年发布的 1000W 激光光源）。

生产也取得了重大里程碑式的进展，在 2025 年 12 月达到了 50 万片高数值孔径晶圆的产量。虽然我们等待高数值孔径技术的实现已经很久了，但随着代工厂目前正深入进行生产认证，看来大规模生产 (HVM) 指日可待。

“综上所述，我们看到，高价值产品（HVM）的研发进程正在稳步推进，5000 亿和 5200 亿的产量成绩表明，高价值产品正在赢得客户的青睐，并取得了非常好的进展……”— Chris De Ruiter，ASML (SPIE EUVL 2026)

在0.55高数值孔径（High-NA）之后，ASML近期推出了下一代技术——超高数值孔径（Hyper-NA）。超高数值孔径EUV的数值孔径定义为大于0.75，这将使A7节点（预计在2033年左右实现量产）之后的数值孔径能够进一步向下扩展。为了保持单次曝光的可行性，到2030年代后半期，数值孔径必须进一步提高。

“所以这张图表告诉我们，如果你看一下缩减路线图的预测或预期，并考虑到其中存在的不确定性，那么我们可能需要在下一个十年的后半段采取下一步行动。”— Jos Benschop，ASML （SPIE EUVL 2026）

幸运的是，与高数值孔径（High-NA）相比，超高数值孔径（Hyper-NA）并不需要体积大幅增大的光学元件。这使得ASML能够重复利用高数值孔径（High-NA）中引入的高性能平台（型号为EXE:的机器）。

如上图所示，提高数值孔径 (NA) 可以减少光刻工艺中的掩模步骤，从而降低能耗。因此，尽管高数值孔径 (Hyper-NA) 无疑会推高设备成本（就像高数值孔径 (High-NA) 一样），但最终它将变得经济实惠，从而推动极紫外光刻 (EUV) 技术的发展，并进而推动半导体行业的未来。

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