SanDisk（闪迪）正押注一项更激进的存储架构，试图在人工智能热潮推升内存需求、却也暴露供应瓶颈的背景下，为未来的高性能计算寻找新解决方案。根据最新披露，该公司提出将NAND闪存直接堆叠在计算芯片下方的设计，使数据存取不再完全依赖传统的平面并排（side-by-side）配置，以此缩短传输距离、降低延迟，并减少成本与功耗。
这项构想建立在闪迪先前提出的HBF（High-Bandwidth Flash）概念之上。HBF采用类似HBM的分层堆叠方式，把多层NAND通过TSV（硅通孔）互连集成至单一堆叠中，容量有望从目前HBM单栈约32至64GB，进一步扩大到最高约4TB。然而，面对AI与HPC对容量、带宽与延迟的更高要求，闪迪最新申请的专利（US 12,430,274 B2）则更进一步，探索把具备CBA（CMOS Bonded Array）结构的NAND裸片，直接堆叠在AI加速器或GPU之下，形成“计算在上、NAND在下”的3D架构。
在这套设计中，HBM DRAM仍会配置在同一中介层（interposer）上，但分工不同：HBM负责实时、低延迟的高优先级内存任务，而NAND则承担较大容量的读写与数据保存工作。闪迪希望借助更宽的芯片间连接，改善NAND因距离较远而速度落后于DRAM的弱点，同时缓解AI计算对内存供应的持续挤压。
值得注意的是，这些构想目前仍停留在专利与技术规划阶段，距离量产还有一段距离。功耗、制造成本，以及在单一封装中同时集成NAND与DRAM的工程难度，都是必须先克服的问题。不过，在AI带动NAND与企业级SSD需求持续升温、供应偏紧的情况下，闪迪正试图把存储芯片从“被动支持”推向更接近计算核心的位置，提前布局下一代数据中心架构。（文章来源：科技新报）
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