PCIM Europe（PCIM Expo & Conference 2026）一直是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的顶会，也是芯片厂商每年“秀肌肉”的舞台。这次芯片厂商又有什么展出，今天EEWorld就来盘点一下。

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碳化硅SiC争霸赛

今年的SiC赛道非常拥挤，第5代SiC MOSFET集中亮相，标志着主驱市场的下一轮换代开始。具体来看，厂商的发力点在这几个方面：封装、耐温、RDS（ON）。

800V主驱平台的SiC器件切换预计在2027年集中爆发，现代、奔驰、宝马、比亚迪、小鹏、理想等厂商的下一代800V平台正在进行样件评估，芯片厂商均将量产窗口设定在2027年。SiC主驱的BOM成本接近硅基IGBT方案，是SiC在电动汽车主驱市场份额突破50%的关键。在国内厂商的竞争格局中，芯联集成、比亚迪、士兰微等企业将处于跟进较紧的位置，其他梯队的厂商则明显落后。

罗姆出招：顶部冷却封装和第五代SiC

罗姆（ROHM）今年PCIM的重点是SiC。

首先，罗姆为第四代SiC MOSFET开发了TSC3PAK封装（14.00×18.58×3.50毫米）封装。通过采用顶部散热结构，将散热面置于封装顶部，新产品实现了自动化安装，同时实现了与传统穿孔封装（TO-247-4L）相当的散热性能。这有助于提升车载充电器（OBC）和xEV电力转换电路的效率和可靠性。

罗姆表示，传统SiC器件通常依赖穿孔封装，在高功率运行时提供优异的散热效果。然而，穿孔式器件需要手动安装工艺，其外形结构使得实现更低的封装形状变得困难。在这样的背景下，兼容自动安装的表面贴装硅碳器件开始被广泛采用。为解决这些问题，新TSC3PAK在表面贴装封装中实现了可媲美通孔技术（如TO-247）的散热性能。

新封装采用了罗姆专有的槽纹结构，确保了6.66毫米的领先爬行距离，使其能够在污染度2环境下承受1200V交流峰值电压，同时保持与市场上广泛采用产品的兼容性。通过在高压应用中实现安全的绝缘设计，TSC3PAK还降低了安装成本并提高了可靠性。

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其次，罗姆也重点展示了第五代SiC MOSFET。罗姆在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时（Tj=175℃）的导通电阻降低约30%（相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较）。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。

第五代EcoSiC适用于xEV用牵引逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动压缩机，罗姆计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。

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英飞凌：205℃耐温的SiC模块、TSJ、EasyPACK S

作为全球汽车半导体市场领导者，英飞凌正积极推动电动出行行业的发展。此次展会上的相关亮点包括牵引逆变器、DC-DC转换器、车载充电器及电池管理系统解决方案。英飞凌的“One Inverter, One Infineon”系统级解决方案在提升传动效率的同时，实现空间与成本的协同优化。

本届展会上，英飞凌也是在SiC方面，疯狂秀肌肉。

首先，在本届展会上，英飞凌还树立了一个新标杆——推出首款可在205°C运行的1300 V碳化硅（SiC）模块HybridPACK Drive 系列。这个温度等级是本届模块里最高的之一。

这一温度的提升使汽车制造商（OEM）和一级供应商（Tier 1）能够从现有的逆变器设计中获得更高的峰值和持续输出功率，也可在全新的设计中降低系统复杂度和整体成本。

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Infineon TSJ（沟槽超结）是英飞凌另一条技术路径，其1200V ID-PAK已进入现代汽车下一代EV平台的试产阶段，比导通电阻降低40%，电流密度提升25%。这一代器件的核心卖点不在于某一项指标的突进，是将整条性能-成本曲线向下推移了一个台阶。RDS（ON）降低 30%～40%，意味着在相同规格下芯片面积可缩小约四分之一，反映到EV主驱模块上，就是同等功率密度下芯片用量减少、模块成本下降，同时车端铜缆与热管理系统得以简化。

最后，英飞凌还全新推出的用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33 x 36 mm²，在确保可靠热性能与低电磁干扰的同时，显著助力系统小型化。首批采用这种新封装方式的模块集成了英飞凌的 1200 V CoolSiC MOSFET G2以及IGBT4和1200 V IGBT7 等技术。

该模块采用英飞凌的.XT互连技术，具有更高的可靠性和更长的使用寿命。覆铜陶瓷基板（DBC）可确保器件具备稳定的热性能，实现均匀的散热效果。通过采用新型塑封材料和硅凝胶，该模块支持在工作结温高达175°C的高温环境下连续工作。PressFIT引脚不仅将器件的电流承载能力提升了一倍，还进一步简化了PCB布局。其机械结构设计通过预设抓取位、定位孔以及缩小引脚间距，支持自动化的生产流程，从而有助于缩短生产制造时间，降低成本。

EasyPACK S在设计时充分考虑了未来的应用需求，适用于下一代SiC和GaN器件，同时能够满足各种应用对器件使用寿命和可靠性的严苛要求。其可扩展平台架构可在半导体技术、芯片配置、拓扑结构及功率等级等方面提供极大的设计灵活性，从而实现性能优化并加速设计导入。

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Wolfspeed：推出业界最低导通电阻的SiC MOSFET

Wolfspeed也开始卷起来了，宣布推出第五代 (Gen 5) 技术，将为下一代1200 V和750 V汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。

根据介绍，第五代(Gen 5) 产品使得系统架构师能够设计更紧凑的牵引逆变器，提高单次充电的续航里程，从而优化昂贵的电动汽车电池配置。同时此技术可用于开发固态断路器，以替代传统机械继电器，为碳化硅 (SiC) 开辟了新的应用机会，并为电动汽车 (EV) 充电基础设施设立了新的效率标准。

与竞品5x5 mm 封装碳化硅 (SiC) MOSFET 相比，基于 Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 技术的系统可在高温条件下依旧实现尽可能高的电流。Wolfspeed 对导通电阻 RDS(ON) 的持续优化解决了两项备受关注的设计挑战：

与目前市售的竞品1200-V 解决方案相对比，其最高可降低27%的比导通电阻RSP，显著改善了系统级导通损耗。1200-VQEM50120-25D10实现了175℃芯片级比导通电阻RSP 3.4 m-cm2，750-V QEM50075-025D10实现了 175℃ 芯片级比导通电阻RSP为2.0 mW-cm2。
通过针对两个电压平台均实现超窄+/- 18% 导通电阻RDS(ON) 分布，减少了对系统级设计裕量的需求。

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耐温方面，Wolfspeed也在发力，Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 技术包含了与第四代 (Gen 4) 技术平台相同的体二极管，但同时将结温能力提升至200℃连续工作（215℃有限寿命）。

产能方面，第五代(Gen 5) 技术是依托Wolfspeed位于美国纽约州莫霍克谷的可爬坡量产的200mm器件制造工厂进行设计、制造、认证的第二个Wolfspeed MOSFET技术代际。其新产品导入 (NPI)、样品测试和客户验证采用200 mm量产材料完成。此外，量产无需新的制造设备。

东芝：展示了第三代SiC MOSFET

东芝在本届展会上展示了其第三代SiC MOSFET。东芝表示，RDS(ON) * Qgd品质因数越低，MOSFET的功率损耗就越小，从而能够实现更高水平的系统效率。此外，产生的热量也会更少，因此热管理问题将不那么突出。

东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET 的RDS(ON)和Qgd值得到了显著改善（相较上一代产品降低了80%），这有助于工程师不断突破其电源系统设计的性能极限。由于需要散发的热量更少，这些系统可以更加简单紧凑，同时节省电路板空间和元器件成本。

栅源电压（VGS）是指施加在开关器件的栅极与源极之间以驱动其工作的电压，而VGSS则表示该电压的最大容许值。如果超过VGSS的数值，则MOSFET可能受损。能够选用具有更高 VGSS 数值的 MOSFET 对工程师而言无疑具有重要价值。

这意味着在他们的电源系统设计中可以容纳更大的容差范围。因此，噪声问题、开关速度的提升以及环境条件（如环境温度）的变化对整体运行性能的影响将更小。第三代SiC MOSFET无疑拥有更好的VGS。

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三安光电：重点展示SiC材料、芯片

国内厂商也在不断加大SiC的布局。三安光电旗下湖南三安在PCIM上表示，公司已完成650V至2000V、1A至100A的全电压电流碳化硅二极管产品梯度建设，以及从650V到3300V、12mΩ到1000mΩ的全系列碳化硅 MOSFET产品布局。其中基于第二代平台的车规级产品已在国内外多家一线Tier 1厂商实现批量稳定供货。以1200V/60mΩ器件为例，已批量应用于车载充电机；主驱逆变器用750V/1200V系列已完成技术迭代，通过国内头部电动车企验证，并同步导入多家海外客户。

本场展会，湖南三安首次面向全球展出12英寸光学衬底与低电阻碳化硅衬底，此前8英寸光学衬底已通过客户验证，12英寸光学碳化硅衬底面型参数达行业先进水平，可赋能AR眼镜更大视场角、消除彩虹纹，已向多家国内外终端厂商小批量送样；低电阻碳化硅衬底历经三年攻关，将电阻率从行业常规的20mΩ•cm稳定降至11mΩ•cm，使器件导通电阻下降约10%-25%，对AI服务器电源、新能源汽车高压快充意义重大，且已具备量产能力。

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BMS的新革命

电池管理系统（BMS）正在同时承受来自安全性、精度、可靠性以及成本控制四个维度的持续压力，这种压力并不是单点问题，而是随着800V高压平台、超快充架构以及大规模储能系统部署而系统性放大的结果，使得传统依赖电压、电流与表面温度的监测体系逐渐难以覆盖电池内部真实状态变化。

电化学阻抗谱（EIS, Electrochemical Impedance Spectroscopy）开始逐步走向车内或储能应用的在线工程化落地，并被认为可能成为下一代BMS体系中重要的底层能力补充，用以弥补传统观测手段在内部状态不可见性上的结构性缺失。

过去很长时间里，EIS更多停留在离线测试体系中，通常依赖高精度实验设备完成频率扫描与阻抗分析，其测试环境、功耗、系统尺寸与计算复杂度的约束下，很难直接进入车载系统。

而现在正在发生变化的是，随着车规AFE、高精度同步机制以及片上DFT频域计算能力逐渐成熟，EIS开始从实验室与工厂检测环节，进入在线运行中的BMS系统，有用于实时安全监测、SOC/SOH估算以及快充控制的潜力。

TI发力EIS：为BMS带来智能化

今年TI（德州仪器）在汽车上继续展出了大量产品，其中最值得关注的是PCIM期间推出的业内最高的电池计数监测器，配备集成电化学阻抗谱（EIS）。该EIS测量时间比以往方案快五倍，该设备每单元提供最高的功能安全电压读数。

BQ79826Z-Q1电池监测器通过检测电池单元内部潜在故障，提升安全性并延长电池寿命。这颗单芯片提供了同级中最高的单元计数监测，追踪信道数量比前一代多达44%。通道数量的增加显著减少了电池组所需的组件数量，降低系统复杂性和成本，同时不影响可靠性。

为什么TI要在BMS中集成EIS解决方案？TI表示，就像心电图（EKG）监测心脏一样，集成的EIS技术使BQ78926Z-Q1能够更早从单元内部检测故障状况，帮助维护安全并及时通知乘客车辆潜在危险，如热失控。

BQ79826Z-Q1支持最多26个单元，比任何竞争方案多8个，树立了新的行业标准。监控设备减少意味着材料成本更低，架构更简单，电路板空间需求减少，从而在不牺牲质量和可靠性的前提下，实现了每个通道的显著成本节约。

当与BQ79881-Q1包监控器和可选的TI通信桥接器配合使用时，可以组成一个强大的芯片组，能够跨越不同模块尺寸、电池化学结构和机械设计，使工程师能够灵活设计一次，并部署到任何地方。这种可扩展性降低了工程开销，加快了汽车和储能设计师的上市时间。

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BQ78926Z-Q1在–40°C至+125°C全温范围内具备<2mV的电压精度，配备更高分辨率的模数转换器和超低噪声，使得充电状态计算更加精确，直接解决了电动汽车驾驶者最大的担忧之一：续航焦虑。

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隔离栅极驱动，不断发力

栅极驱动芯片（Gate Driver IC）是一种用于控制半导体功率器件（如MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT等）开关速度和时间的集成电路。其主要功能是放大控制信号，提供足够的电流对功率器件的栅极进行快速充放电，从而实现高速开关，减少开关过程中的能量损失，并保护控制器件免受过高电压或电流的损害。

隔离驱动又细分为三类——光耦隔离、磁耦隔离和容耦隔离。光耦隔离电压比较高，具有对外部电子或磁场的抗扰性，恒定信息传输能力好，不足是速度限制、功耗和老化。磁隔离的优点是速度高，可以给隔离端供电，但传统变压器体积较大。近年来，采用芯片级变压器的磁隔离崭露头角。容耦采用高频信号调制解调以电场形式将输入信号通过电容隔离后传输出去，信号跟随特性好，抗EMI干扰能力也很好；与光耦相比，其传输时延短，器件一致性好，寿命长。容耦的不足在于低频特性差，不能放大变化缓慢的信号，且在IC中集成大容量电容很困难。

本届展会上，厂商围绕隔离栅极驱动展示了许多产品，其中最值得关注的是大家都在展示ASIL D的栅极驱动隔离。

纳芯微：国内首款ASIL D栅极驱动器

纳芯微一直是电容隔离的主要玩家，本次PCIM其中最大的亮点无疑是最新的ASIL D的隔离栅极驱动NSI6911F，具备最高19A峰值驱动能力，±150kV/μs CMTI，并集成12位隔离式ADC，适用于牵引逆变器和DC-DC变换器等高压应用。

高端驱动芯片几乎集所有模拟前端技术于一体，包括隔离、电源、采样、驱动等，同时为满足灵活配置、系统级故障诊断及必要安全机制，还需具备状态机管理、数模混合、SPI通讯、寄存器配置等功能。在如此复杂的功能基础上，实现高目标的ASIL D功能安全要求，必须充分理解上层系统，按照相应风险等级识别设计方案中违背安全需求的失效原因并加以改进。尤其是对单点故障覆盖率（SPFM）的要求需超过99%，极为严苛。

国内半导体在功能安全领域长期面临“卡脖子”局面，ASIL D功能安全驱动芯片几乎被海外大厂垄断，国内尚属空白。受地缘政治影响，供应链风险加剧，成本压力高企，国产功能安全驱动需求就更为迫切了。虽说各家功能安全驱动芯片路线不同，不过一旦绑定某家供应商，迁移成本巨大，因此对国产化及Pin-to-Pin兼容的需求非常强烈。

纳芯微正是抓住这一机遇，提前布局并持续投入，历时4年，重磅推出国内首款ASIL D单体隔离驱动芯片NSI6911F。

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其次是汽车照明系统，纳芯微认为OEM厂商和一级供应商面临着多区控制、动态照明效果、调光精度、热性能和功能安全等日益复杂的挑战。纳芯微推出全场景LED驾驶员解决方案，涵盖智能驾驶舱环境光、尾灯、大灯、显示屏背光及互动照明设计：

NSUC1500-Q1：集成MCU、LDO、LIN PHY和4通道LED驱动的RGB环境照明SoC，配备Cortex-M3核心和高精度256色调光控制；
NSUC1527：多通道RGB环境光驱动，集成27个高精度恒流通道，支持多区灯光控制、动态灯光效果和音乐同步环境灯光；
NSL21912/16/24FS：12/16/24通道汽车线性LED驱动器，具备ISO 26262 ASIL B功能安全能力、高速差分通信、多通道数字驾驶和热共享技术；
NSL31682 / NSL31520 / NSL31664/5：大灯控制装置，涵盖预增压控制、恒流LED驾驶和矩阵LED管理。

接着，针对ADAS和智能座舱系统，高分辨率摄像头和显示器需要高带宽、低延迟和可靠的视频传输：

NLS9116：基于HSMT开放协议的汽车串行器，支持摄像头、显示器和驾驶舱领域应用的高速串行传输；
NLS9246：基于HSMT开放协议的4通道汽车解串器，支持多通道高清信号接收；
NSUC1800：支持UPA、APA、AVP和低速ADAS应用的超声波传感器接口集成电路，具备DSI3兼容性、灵活编码方案、ISO 26262 ASIL B认证及AEC-Q100资格认证；

另外，针对智能驾驶舱音响，设计师需要在紧凑型汽车系统中具备高效率、低延迟、保护功能和可靠的音响性能：

NSDA6934-Q1：汽车用D类音频放大器，支持四声道输出、低延迟运行、集成保护机制和优化的RNC性能。

其他值得关注的产品还有：

第三代汽车级NSI83xx系列电容数字隔离器具有卓越的EOS韧性和极低的功率噪声敏感性，非常适合简化系统级电磁干扰（EMI）缓解，并在BMS和牵引逆变器等高频SiC开关环境中确保信号完整性；
NSOPA240x 是一款高电流输出运算放大器，具有最高400mA的连续输出电流和5.5 V/μs的斜率，用于牵引电机控制中的低失真解析器激励；
NSD7305、NSD7308和NSD7309是用于有刷直流电机和执行器负载的H桥电机驱动器，具有低RDS（on）、电流调节、电磁干扰优化和保护诊断功能；
NSD5614N和NSD5624是智能低侧驱动单元，适用于继电器、阀门、电磁阀、PLC I/O和单极步进电机负载，具备PWM或SPI控制、输出并联、集成夹紧和故障诊断功能。

Skyworks：也发布ASIL D栅极驱动器

Skyworks也是容隔的主要玩家，其在纽伦堡举行的PCIM 2026大会上发布了ASIL D的Si829x，一款用于电动汽车（EV）牵引逆变器的隔离栅极驱动器。采用ProVCD可变电流驱动技术，Si829x相比电压模式替代方案可将开关损耗降低高达44%，并通过软件可配置参数支持碳化硅（SiC）和IGBT架构。

可软件配置参数使设计可在SiC和IGBT车辆项目中重复使用而无需硬件更改，而集成的VPOS稳压器则消除了外部负栅偏置供电。制作计划于2026年7月底开始。

Skyworks产品线管理副总裁Mario Battello介绍称，随着全球电动汽车平台的规模化量产，汽车制造商面临着平衡“提升效率、集成先进功能”与“降低系统成本”的双重压力。Si829x通过创新的电流模式控制与软件可定义特性，打破了传统硬件限制，不仅优化了电动汽车的传动系统，更大幅提升了整车的经济效益。

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都在向系统解决方案靠拢

现在的芯片厂商的角色，已经不再像过去一样，只是提供单独的芯片即可，拥有系统解决方案才能更具成本和加速开发的优势。

这次展会上很多厂商都在说系统解决方案，比如Infineon（英飞凌）的"One Inverter, One Infineon" 系统方案、onsemi（安森美）的33 kW "Grid-to-Chip"全电源树demo、TI（德州仪器）"From the grid to the gate"的解决方案。

在本届展会上，芯片厂商也就新能源汽车，展示了整体的解决方案。

ST：展示了整体方案

ST最近偏向于展示整体的解决方案上：

第一，是在充电与基础设施上，从7kW的车载充电器到60kW的直流快充器，ST的SiC和GaN解决方案在充电链的每个环节最大化转换效率。

第二，是在汽车能源管理上，从12V板网到800V动力总成，ST智能电源集成电路、BMS芯片组和HV直流-直流解决方案涵盖了软件定义车辆的每一个能源管理层。

第三，是电机驱动上，从100W逆变器到20kW伺服系统，ST SiC、IGBT和IPM解决方案涵盖了全工业驱动光谱，集成栅极驱动器、实时连接和功能安全。

onsemi：率先推出Elite Pairing Studio

onsemi（安森美）的着力点在于设计工具。其在PCIM期间宣布在业界推出在线设计工具Elite Pairing Studio，使工程师能够突破传统器件级选型方式，根据特定应用需求快速确定推荐的SiC MOSFET与栅极驱动器配对组合。该交互式工具简化了配对行为与权衡取舍的评估，有助于加速电力电子设计的开发进程，同时作为安森美更广泛工具集的入口，用于进行系统级的性能和能效分析。

通过Elite Pairing Studio，工程师可检查每种配对的关键指标，包括：