芯朋微近期正式推出第二代 SiC 隔离驱动芯片 PN7905，面向光伏逆变器、储能变流器、直流充电桩、车载 OBC 及 AIDC 电源等高压高频应用。

该新品芯片支持 20V 输入侧耐压、36V 输出侧耐压、8A+15A 可配置驱动能力，并集成米勒钳位、有源下拉、欠压锁定、短路钳位及主动关断等功能，为 SiC MOSFET 驱动链路提供更高的供电裕量、开关灵活性与抗干扰能力。

芯朋微PN7905第二代SiC隔离驱动芯片

相较于常规隔离驱动方案，PN7905 围绕 SiC 器件在高开关速度、高共模噪声和高驱动电压下的实际需求，对供电耐压、驱动配置、误导通抑制和异常状态控制进行了针对性设计。

该芯片采用SOP8(W)封装，满足 5700 RMS 绝缘耐压要求，输入侧供电耐压大于 20V，支持 3.3V-15V 宽范围供电；输出侧供电耐压大于 36V，可覆盖 SiC MOSFET 常见的正负栅极驱动电压配置需求。

对于需要较高正向栅压、负压关断或较大驱动裕量的 SiC 应用而言，更高的输出侧耐压能够降低驱动电源设计的限制，也便于系统针对不同器件参数进行优化。

8A+15A驱动架构，可在损耗与应力之间灵活取舍

PN7905 采用主路 8A、辅路 15A 的驱动架构，最高支持 23A 并联输出。芯片可通过 IO 引脚切换驱动模式：

当 IO 为低电平时，主路用于驱动输出，辅路进入有源钳位状态；当 IO 为高电平时，主路与辅路并联工作，可输出更大的栅极充放电电流。

这一设计使 PN7905 不必局限于固定驱动能力。

对于栅极电荷较大、需要压缩开关过渡时间的 SiC MOSFET，可开启并联模式提高驱动电流，加快栅极充放电；对于更关注电压尖峰、EMI 或器件应力的应用，则可采用主路驱动与辅路钳位的方式进行优化。

在实际设计中，驱动电流并非越大越好。过强的驱动能力虽然能够缩短开关时间，但也可能带来更高的 dv/dt、di/dt、电压过冲和电磁干扰。

PN7905 通过可配置驱动架构，为工程师在开关损耗、EMI 表现和器件可靠性之间提供了更大的调节空间。

SiC MOSFET 开关速度高，在半桥、全桥等拓扑中，功率管漏极电压快速变化会通过栅漏电容耦合至栅极，形成米勒电流。当关断侧栅极电压被抬升时，可能引发器件误导通，进而增加桥臂直通风险。

PN7905 内置米勒钳位功能，可在器件关断阶段对栅极进行钳位，降低米勒平台扰动对栅极电压的影响。同时，芯片具备 200V/ns 共模瞬态抗扰度，可提升隔离驱动链路在高 dv/dt 环境下的稳定性。

对于光储变流器、直流快充模块及高压车载电源等高频开关系统而言，米勒钳位与高共模瞬态抗扰能力可减少外围抑制电路的设计压力，也有助于降低复杂工况下的误触发概率。

PN7905 基于 OOK 调制方式设计，内部载波频率达到 400MHz，传播延迟小于 110ns，支持 300kHz 以上开关频率工作。

对于高频 SiC 电源系统，驱动芯片的传播延迟及延迟一致性会直接影响上下桥臂死区时间设置。传播延迟过大或偏差较大，容易压缩有效导通时间，或迫使系统预留更长死区，从而影响效率和功率密度。

PN7905 通过较低传播延迟，可更好适配高频 SiC 开关应用，为缩短死区时间、优化开关损耗和提升系统功率密度提供基础。

特别是在高频光伏逆变器、高功率密度充电模块及高压 DC-DC 等应用中，低延迟驱动更有利于发挥 SiC 器件的高频优势。

在可靠性设计方面，PN7905 集成欠压锁定、有源下拉、短路钳位及主动关断等功能。

欠压锁定功能可避免驱动供电不足时 SiC MOSFET 工作在线性区，降低器件损耗异常上升的风险；

当芯片未供电或驱动电源掉电时，有源下拉功能可将输出端强制拉低至 1.5V 以下，避免栅极悬空导致功率器件意外导通。

针对高频开关过程中的栅极毛刺，PN7905 可对输出端进行钳位，抑制异常电压扰动。配合短路钳位与主动关断功能，芯片可在异常状态下增强驱动链路的可控性，为 SiC 功率器件及功率级提供更高的安全裕量。

凭借宽供电耐压、可配置大电流驱动、高共模瞬态抗扰能力及完善保护机制，PN7905 可应用于光伏逆变器、储能变流器、直流充电桩、车载 OBC、AIDC 电源等场景。

芯朋微此前已推出第一代 SiC 隔离驱动芯片 PN7903。此次推出的 PN7905 在驱动电流、供电耐压和驱动模式配置方面进一步提升，可更好适配不同规格 SiC MOSFET 及不同功率等级的变换器设计需求。

由电池交易网主办，充电头网协办的2026 世界充电宝大会（POWERBANK 2026），将于 6 月 26 日（星期五）在深圳隆重举办。