三星NAND出口单价飙升超800%

三星NAND出口单价飙升超800%图1

有观察人士指出，三星电子第二季度的半导体业绩可能超出市场预期。这主要归因于以下几个因素：4月和5月主要生产基地的存储器出口量大幅增长，以及DRAM和NAND闪存价格的上涨。

据韩京A-Cell 6月24日报道，三星电子在京畿道平泽市和龙仁市以及忠清南道牙山市（三星电子的主要生产基地所在地）的存储器半导体出口额，4月份达到163.7亿美元，5月份达到185.4亿美元。与去年同期相比，这两个数字分别增长了397.1%和303.0%。

4月和5月的出口总额为349.1亿美元，比去年同期增长了342.3%。以韩元计算，这相当于约52.4万亿韩元。这一增长率超过了市场目前对三星电子设备解决方案（DS）事业部第二季度336.8%的营收增长率预期。韩京A-Cell补充道：“从截至2026年5月的区域出口数据来看，三星电子第二季度的营收可能会超出市场预期。”

三星电子半导体出口趋势被认为是衡量DS事业部业绩的关键指标。这是因为过去曾出现过这样的模式：国内生产基地的存储器出口增长带动半导体营收增长。虽然出口数据并不能完全反映国内外子公司之间的内部交易或国内销售情况，但它被认为是目前公开数据中最具解释力的指标，可以用来验证三星电子半导体的业绩。事实上，过去九年中，各生产基地的出口额与DS事业部营收的相关系数高达96.2%。

按产品类别划分，通用存储器（如DRAM和NAND）的增长趋势尤为显著。根据第二季度4月和5月的数据，DRAM相关出口额达到221亿美元，较去年同期增长380.6%。NAND出口额也增长了352.1%，达到23.4亿美元。

包括高带宽内存（HBM）在内的高附加值存储器产品出口额增长了266.8%，达到86.9亿美元。尽管HBM出口额也大幅增长，但由于DRAM和NAND的价格涨幅更大，HBM产品在总出口额中的占比从去年同期的30%下降至今年的24.9%。

价格走势对三星电子也十分有利。5月份，DRAM的出口单价为每公斤158,132美元，较去年同期增长434.9%。 NAND闪存的出口单价飙升822.4%，达到每公斤153,384美元。HBM闪存的出口单价达到每公斤179,889美元，较去年同期增长238.5%。虽然HBM闪存的绝对价格更高，但NAND闪存和DRAM等通用存储器的增速更为显著。

根据第二季度（4月至5月）的数据，三星电子的存储器半导体出口单价较上一季度上涨50%。其中，DRAM单价上涨50.8%，NAND闪存上涨96.3%，包括HBM在内的其他产品单价上涨37.8%。截至5月，三星电子的存储器半导体出口单价约为韩国存储器半导体整体出口单价的两倍。

随着通用存储器价格的大幅上涨，市场猜测拥有庞大产能的三星电子可能会从中受益更多。尽管SK海力士被普遍认为在HBM市场占据领先地位，但拥有庞大产能的三星电子在DRAM和NAND价格反弹时，其盈利增长潜力可能十分显著。

三星电子内部也对重夺存储器市场领导地位充满信心。据报道，三星电子存储器事业部开发副总裁黄相俊在23日的员工大会上表示：“明年三星电子的DRAM市场份额将超过40%。”

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