当地时间2026年6月25日，IBM宣布了一项重大半导体技术突破：推出了全球首个亚1纳米（Sub-1nm）芯片制程技术。该技术采用了革命性的晶体管架构，成功将制程节点推进至0.7纳米（即7埃米，7 Angstrom） 级别。
图片来源：IBM
官方公告显示，得益于全新的 3D“NanoStack（纳米堆叠）”晶体管架构，IBM成功在仅有指甲盖大小的芯片上集成了近1000亿个晶体管，其晶体管密度几乎是IBM在2021年推出的2纳米芯片的两倍。
与现行的2纳米制程相比，该亚1纳米技术预计将带来飞跃性的性能与能效提升：在相同功耗下，其计算性能可提升高达50%；或者在同等计算表现下，其能耗可降低达70%。这一双重突破将极大地缓解生成式AI、云基础设施及下一代智能设备对高算力与高能效的迫切需求。
据悉，NanoStack是IBM首创、面向亚1纳米节点的垂直交错堆叠三维纳米片架构。传统的纳米片技术是在平面上独立制造晶体管，而 NanoStack 通过3D顺序集成技术，将晶体管在垂直方向上进行交错堆叠。这种垂直堆叠设计不仅大幅压缩了空间，还允许工程师在不同的堆叠层中使用不同的材料组合，从而实现每个晶体管性能与功耗的独立优化。
IBM研究院院长兼IBM院士Jay Gambetta 表示，这项行业首创的创新使逻辑芯片技术首次能够延伸到1纳米以下，进入到接近单个原子大小的“埃米级时代”。他强调，IBM不只是在把晶体管做小，而是在重新发明芯片的构建方式，为未来十年的计算奠定基础。
在量产规划方面，IBM给出了明确时间表。基于三维纳米堆叠架构的亚1纳米技术完成工艺验证后，最快有望在五年内进入规模化量产阶段。现阶段项目仍处于实验室技术验证环节，后续还需要完成设备调试、良率优化与产业链配套对接工作。
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