电源产品的竞争，正在从快充功率、体积和协议兼容性，进一步延伸至转换效率与待机功耗。国家标准 GB 20943-2025《交流-直流和交流-交流电源能效限定值及能效等级》已于2025年1月发布，将于2027年2月1日正式实施，并全面替代 GB 20943-2013。新版标准将适用范围由传统单路输出式外部电源，拓展至多路输出、可调电压输出及部分嵌入式电源等更多应用类型，对平均效率、空载功耗以及功率因数等提出了更系统的要求。充电头网获悉，为帮助产业链提前衔接新版能效要求，广东省终端快充行业协会近期组织开展 GB 20943-2025 首批专项摸底测试。测试围绕能效限定值、空载功耗、转换效率等核心项目展开，首批共有昂宝、晶丰明源、英集芯、智融科技以及南芯半导体5家芯片企业的5套芯片及待机低功耗方案完成测试并通过摸底验证。2026（秋季）亚洲充电大会将于9月11日在深圳前海国际会议中心举办。届时也将有新版电源能效国标解读、低待机快充方案及高效电源设计等相关分享。
新国标实施进入倒计时，快充电源方案提前迭代
与旧版标准相比，GB 20943-2025 不再仅聚焦传统外部电源，而是进一步适配多口输出、USB 快充、可调电压等新型电源应用，同时将笔电适配器、PC 电源、服务器电源等更多品类纳入更广泛的能效管理框架。对于快充充电器、插座、电源适配器等产品而言，高功率输出只是基础。如何在轻载、满载以及空载待机等不同工作状态下实现稳定的能效表现，正成为芯片设计、电源拓扑、磁性元件、功率器件与整机调校共同面对的新课题。尤其是在多口快充逐步普及的背景下，产品不仅需要兼顾高压平台下的转换效率，也需要应对单口轻载、多口动态分配、待机识别及协议唤醒等实际使用工况。新版标准落地后，低待机功耗与全负载区间效率表现将进一步成为电源方案的重要竞争维度。5套芯片方案完成首批摸底测试
本次公布的首批通过摸底测试方案如下，涵盖了芯片厂商面向高效转换与低待机功耗推出的不同套片组合。On-Bright 昂宝
昂宝此次通过摸底测试的是由 OB2659 与 OB2669 组成的 GaN PD 快充套片方案。方案采用多模式 QR 原边控制与副边高集成协议、同步整流控制相结合的架构，面向高功率密度 USB-C 快充适配器应用。其中，OB2659 可根据负载状态在 QR、PFM、Burst 等模式间切换：满载时采用谷底开通 QR 模式提升转换效率，轻载时通过降频运行降低损耗，极轻载或空载状态则进入扩展 Burst 模式抑制待机功耗。同时，芯片还具备强制谷底开通和频率抖动设计，用于改善 EMI 表现。
配合支持 USB PD3.2 PPS/AVS、集成同步整流及 CV/CC 控制的 OB2669，整套方案可实现快充协议、功率变换和低待机控制协同。在 230Vac 输入、USB 线缆未连接条件下，OB2659 搭配 OB2669 的待机功耗可低于 5mW。
BPS 晶丰明源
BP87600D+BP62600D+BP63030N晶丰明源此次通过摸底测试的 BP87600D、BP62600D、BP63030N 三芯套片，是一套面向 65W 快充适配器的零待机高频 QR 方案。方案采用原边高频 QR 控制、副边磁耦通信控制与 PD 协议控制相结合的架构，支持 90-264Vac 宽范围交流输入，输出覆盖 5V、9V、15V、20V 固定电压档位，以及 5-21V/3.25A 宽电压输出，可用于 USB PD、QC 等快充适配器开发。该方案的特点在于，利用磁耦通信反馈与芯片深度睡眠机制，将整机待机功耗控制在 5mW 以下，同时兼顾高频工作、高效率输出和动态响应速度。方案还支持直驱 GaN 器件，最高开关频率为 140kHz，并集成原边多重保护、副边同步整流及输出电容放电等功能，适合用于追求小型化、低待机功耗与高集成度的 45W、65W 快充产品。INJOINIC 英集芯
英集芯此次参与测试的 IP2017、IP2028 与 IP2766G，是一套面向65W笔电适配器及USB-C快充电源的三芯方案，覆盖原边反激控制、次级侧同步整流以及快充协议控制。该方案采用 QR 反激架构，支持90-264VAC宽范围输入及5V至20V多档输出。方案在230VAC输入下空载功耗低于5mW，并满足七级能效要求。ISMARTWARE 智融科技
智融科技此次参与摸底的 SW1192H、SW1609 与 SW3578，覆盖原边PWM控制、ZVS同步整流以及高集成快充输出控制等环节，方案重点在于降低高压功率变换损耗，并兼顾快充协议与输出管理需求。其中，SW1192H 采用高频准谐振控制方式，支持直驱 SiC 功率器件，并具备谷底锁定、频率抖动及轻载降频、Burst 等设计；配合 SW1609 的 ZVS 同步整流技术，可降低高压工况下的开关损耗和温升。
再结合 SW3578 的快充输出控制能力，这套方案适合面向高效率、高功率密度及多协议输出需求的快充适配器开发。
SOUTHCHIP 南芯半导体
SCV3059AQ1+SC3501+SC2151A
南芯半导体此次采用 SCV3059AQ1、SC3501 和 SC2151A 三芯套片参与摸底测试，方案覆盖快充电源的功率变换、次级同步整流和 Type-C/PD 协议控制等关键环节。
其中，SC3501 用于驱动反激电源次级同步整流 MOSFET，可降低次级整流损耗并改善散热表现；SC2151A 则集成 Type-C/PD 与 DPDM 快充控制、反馈补偿及相关保护功能，可简化适配器输出侧设计。
充电头网总结
从首批通过摸底的五套方案可以看到，快充电源应对新版能效要求的路径已经较为清晰：一方面通过 QR、ZVS、同步整流等技术降低开关和导通损耗；另一方面通过深度睡眠、Burst 控制、低静态电流和协议协同，进一步压低空载待机功耗。对品牌厂商和电源企业来说，芯片套片通过摸底测试，更多是提供了一个经过验证的方案方向。真正落到产品端，仍需结合实际进行优化。
尤其是多口快充产品，既要保证高负载下的转换效率，也要控制空载和轻载状态下的额外损耗，后续围绕测试方法、设计细节和量产一致性的优化，仍将是行业适配新标准的关键。
