新品 | 采用 IHV B 封装的4500 V/ 1200 A IGBT模块:FZ1200R45HL4_B8

英飞凌工业半导体 2026-07-13 17:00

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新品

采用 IHV B 封装的4500 V/ 1200 A 

IGBT模块:FZ1200R45HL4_B8

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IHV 4500 V、1200 A、130 mm单开关IGBT模块,采用IGBT4沟槽场截止技术,是高压直流输电(HVDC)、静止同步补偿器(Statcom)及工业应用的理想选择。


产品型号:

 FZ1200R45HL4_B8

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产品框图

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产品特性


低饱和压降VCE(sat)

AlSiC基板

存储温度低至 -40°C

封装材料 CTI> 600


应用价值


实现紧凑型逆变器设计

低功率损耗

标准化外壳结构

长使用寿命


竞争优势


高性能

低损耗

高可靠性


应用领域


高压直流输电(HVDC)

静止同步补偿器(Statcom)

驱动系统


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新品 | 采用 IHV B 封装的4500 V/ 1200 A IGBT模块:FZ1200R45HL4_B8图6

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