head-img
英飞凌工业半导体
电力电子工程师园地，立足于打造英飞凌功率半导体产品技术和应用技术的交流平台和值得收藏的资料库。提供新产品介绍，应用知识和经验分享，IGBT在线课程，线上线下研讨会发布和回放。点击菜单栏浏览公众号全貌。
资讯 103
资讯
用于工业驱动的MCU产品介绍
英飞凌工业半导体 2天前
用于工业驱动的MCU产品介绍
英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
英飞凌工业半导体 3天前
英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
新品 | 英飞凌15kW光伏升压变换器(Boost)参考设计
英飞凌工业半导体 5天前
新品 | 英飞凌15kW光伏升压变换器(Boost)参考设计
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
英飞凌工业半导体 1周前
深入解读SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)
英飞凌携手西门子：以碳化硅技术赋能数据中心及工厂电气保护
英飞凌工业半导体 1周前
英飞凌携手西门子：以碳化硅技术赋能数据中心及工厂电气保护
英飞凌 EasyPACK™ S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用
英飞凌工业半导体 1周前
英飞凌 EasyPACK™ S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用
英飞凌扩展CoolSiC™ JFET产品组合，推出面向AI数据中心和工业级应用的常关型器件
英飞凌工业半导体 1周前
英飞凌扩展CoolSiC™ JFET产品组合，推出面向AI数据中心和工业级应用的常关型器件
如何用英飞凌 TRENCHSTOP™ IGBT7 来减少并联器件数量
英飞凌工业半导体 2周前
如何用英飞凌 TRENCHSTOP™ IGBT7 来减少并联器件数量
DC BTI：SiC MOSFET 长期稳定的 “隐形考验”，英飞凌这样破解
英飞凌工业半导体 2周前
DC BTI：SiC MOSFET 长期稳定的 “隐形考验”，英飞凌这样破解
深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？
英飞凌工业半导体 1个月前
深度解析：为何 SiC MOSFET 必须构建专属可靠性验证方法？
Copyright © 2025 成都区角科技有限公司
蜀ICP备2025143415号-1
  
川公网安备51015602001305号