长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）在短短一年多的时间里将产能几乎翻了一番，从而增强了其在全球存储器半导体市场的影响力。
从去年起三星电子和SK海力士占据主导地位的传统DRAM领域开始，中国存储器在国内市场需求和政府补贴的推动下，正不断提升竞争力。此外，中国存储器正在通过不断挑战高带宽存储器（HBM）和300级3D NAND闪存等尖端产品领域，缩小与三星电子和SK海力士的差距。
据《朝鲜商业》7月21日获得的市场研究公司Omdia的最新报告显示，中国长鑫存储今年第三季度的DRAM产能（以晶圆投入量计算）较去年同期（42万片）增长了约70%，达到72万片。按年计算，长鑫存储的DRAM晶圆产量预计将从去年的162万片增至今年的273万片。
长鑫存储在全球DRAM市场的份额很小，直到两三年前才被纳入统计，但其在短时间内迅速扩张生产线，扩大出货量。根据Omdia对明年出货量的预测，长鑫存储的DRAM出货量预计将接近业内第三大公司美光。正因如此，有人预测，现有的三家DRAM公司（三星电子、SK海力士和美光）未来将重组为四方格局。
长江存储快速扩张NAND闪存产能也加剧了市场供过于求的局面。受NAND闪存价格下跌影响，三星电子、SK海力士、铠侠和美光等主要厂商持续减产，而长江存储自去年第一季度以来一直在快速提升其位于中国武汉二厂的产量。今年第二季度，长江存储武汉二号线的NAND产能较去年同期（6万片）增长了两倍多，达到13万片。长江存储的NAND总产能也同比增长了42%。
两家公司正在拓展其产品组合，不仅涵盖通用存储器和传统存储器，还涵盖尖端产品系列。长江存储也在以SK海力士为主导的高带宽存储器（HBM）市场中取得超预期的进展。长江存储计划在今年年底前完成第四代HBM产品HBM3的量产认证流程。
一位半导体设备业内人士透露：“长鑫存储正在积极扩建其在北京和合肥的工厂，预计未来还将投资HBM封装设施。”长鑫存储的内部目标是在两年内量产SK海力士和美光主导的尖端产品第五代HBM（HBM3E）。”
长江存储也在努力提升3D NAND闪存的层数。层数越高，NAND的性能就越好。就像建造高层公寓一样，层数越高，可以存储和处理的数据就越多。目前量产的NAND中，层数最高的是SK海力士的321层，其次是三星电子的286层和长江存储的270层。虽然仍然低于三星电子和SK海力士，但正在向类似的水平迈进。市场研究公司 TechInsights 评估称，长江存储取得了显著进展，其芯片尺寸和每平方毫米 (㎟) 容量均达到了 20.47 千兆位 (Gb)/㎟，而 NAND 性能指标则达到了这一水平。
与此同时，NAND 市场今年一直面临供应过剩的困境。据估计，尽管三星电子的 NAND 业务经历了长期的减产，但今年第二季度仍出现亏损；其他存储器公司的盈利能力也因价格持续下跌而恶化。此前，市场研究公司 TrendForce 已将今年 NAND 闪存需求的年增长率从 30% 下调至 10-15%。
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