充电头网近期通过拆解发现，钰泰半导体推出ETA80G58合封氮化镓芯片。

该芯片是一款面向高功率密度反激电源设计的高频准谐振PWM转换器，内部集成700V高压D-Mode GaN功率MOSFET，典型导阻为140mΩ，最高开关频率可达110kHz，可用于USB PD快充适配器、高功率密度电源及系统电源等产品。

钰泰半导体ETA80G58合封氮化镓芯片

钰泰ETA80G58采用合封集成设计，将高压GaN功率器件与控制功能集成于ESOP-10W封装内。

内置700V D-Mode GaN功率MOSFET，典型导阻为140mΩ，可减少外置高压功率器件，简化反激电源设计，并为提升整机功率密度提供支持。

ETA80G58采用峰值电流模式控制，支持DCM准谐振工作，并结合谷底导通和频率回退技术，以降低开关损耗和EMI。芯片最高开关频率可达110kHz，有利于缩小变压器等磁性元件尺寸，适合对体积和功率密度要求较高的快充适配器产品。

在不同负载条件下，ETA80G58支持Burst、PFM/PWM、恒功率CP以及恒流CC等多种工作模式。轻载及空载状态下，芯片可进入Burst模式，减少开关损耗，实现低于75mW的待机功耗；随着负载变化，则通过多模式控制兼顾转换效率、动态响应和输出性能。

ETA80G58支持7-77V宽范围VCC工作电压，并集成自适应环路增益补偿，可适配USB PD、QC等宽输出电压范围应用。芯片同时支持恒压CV、恒功率CP和恒流CC控制，并内置可调输入线补偿及斜坡补偿功能，提升不同输入、输出条件下的系统稳定性。

保护方面，ETA80G58集成VCC过压及欠压保护、输入过压及欠压保护、输出过压及欠压保护、输出短路保护、变压器绕组短路保护、电流采样电阻短路及开路保护、过温保护等功能，同时支持逐周期电流限制和故障自动重启，提升电源系统在异常工况下的可靠性。

ETA80G58可用于60W USB PD适配器，支持20V、15V、12V、9V、5V多档输出，最高输出电流可达3A。

充电头网总结

钰泰ETA80G58是一款集成700V、140mΩ D-Mode GaN功率MOSFET的高频准谐振PWM转换器，通过合封集成进一步减少外围功率器件，同时兼顾多模式控制、宽VCC供电和完善的保护功能。

ETA80G58主要面向 60W 中功率高功率密度快充电源，为GaN适配器实现更高集成度和更简洁的系统设计提供了新的方案选择。