7月14日，联华电子（UMC）与新加坡硅光子无晶圆厂企业SILITH Technology共同宣布，首批量产光子集成电路晶圆已从联电新加坡12英寸晶圆厂完成交付。该批晶圆将用于支持SILITH每秒1.6太位元（1.6T）硅光子平台的规模化部署，面向人工智能集群和超大规模数据中心持续增长的高速光互连需求。
双方披露，从平台开发到具备量产条件仅用18个月，相关产品已达到量产所需的良率与可靠性水平，并通过一家全球领先云基础设施客户的认证。此次交付意味着合作已从工程验证跨入规模制造阶段，但客户身份、实际交付数量、订单金额及对联电营收的贡献尚未公开，短期商业影响仍需结合后续放量情况判断。
从工程样品走向规模制造，12英寸平台是关键
硅光子通过硅基工艺在同一芯片上集成调制、耦合、探测等光学功能，以光信号承担高速数据传输。与实验室原型相比，真正进入数据中心供应链的难点并不只在单一器件速度，还包括晶圆内与晶圆间一致性、耦合损耗、良率、长期可靠性以及封装测试成本。联电在此次合作中的核心价值，正是把SILITH的专有硅光子架构与成熟的绝缘层上覆硅（SOI）制造、制程整合和12英寸量产管理能力结合起来。
对客户而言，12英寸晶圆平台的意义在于扩大可制造规模，并提高成本、良率和量产爬坡时程的可预测性。联电将此次平台定位为符合晶圆代工导入需求、可扩展的制造体系，而不是一次性的客制化试产。SILITH则已累计出货超过800万颗每通道100G及200G光子集成电路，显示其并非处于纯研发阶段；此次与联电合作，更接近把既有产品经验迁移到更大规模的晶圆制造平台。
1.6T只是当前节点，路线图已延伸至每通道400G
人工智能服务器集群的扩张正在把系统瓶颈从单纯计算能力进一步推向互连带宽与能效。随着GPU数量和节点间通信量上升，传统铜互连在传输距离、信号完整性和功耗方面面临更大压力，光互连因此从机架间连接逐步向交换芯片、加速器和封装周边靠近。1.6T硅光子平台对应的是当前高端数据中心网络升级方向，而每通道速率继续提升，将直接影响端口密度、模块复杂度和系统功耗。
在每通道200G产品商业化基础上，联电与SILITH正在开发每通道400G纯硅光子平台，采用高速马赫－曾德尔调制器（MZM）架构。该路线试图在提升传输速率的同时，保留与CMOS兼容的可制造性、规模扩展能力和成本优势。与此同时，联电还与生态伙伴推进铌酸锂薄膜（TFLN）方案，以补充纯硅调制器在更高带宽和更低驱动需求上的潜在局限。
从客户项目到通用平台，联电正在补齐硅光子代工能力
联电的布局并非始于此次量产交付。2025年12月，公司已取得imec的iSiPP300硅光子制程授权，目标是建立兼容共封装光学（CPO）的12英寸平台，并规划在2026年至2027年推进风险试产。联电同时表示，将于2027年向更多客户正式开放自有12英寸硅光子平台，用于产品开发和量产导入。
从公开进度看，SILITH项目更像是联电以客户产品率先验证量产能力，而自有平台则承担扩大客户覆盖和形成标准化代工服务的任务。对联电而言，这一方向能够利用其SOI、特殊制程、制程整合及先进封装基础，避开只依赖先进逻辑制程竞争的单一路径，并将业务延伸至光子芯片、封装和系统级互连。若平台能够形成稳定的设计套件、器件库、测试流程和封装生态，硅光子有望成为联电特殊制程业务的新增长支点。
量产里程碑之后，商业化仍要跨过封装与生态门槛
此次交付证明联电具备将硅光子设计导入12英寸规模制造的能力，但量产晶圆并不等同于整个光互连系统已经完成低成本大规模部署。硅光子产品仍需解决光源集成、光纤耦合、热稳定性、晶圆级测试、封装良率及长期可靠性等问题；在CPO和光学I/O架构中，交换芯片、光引擎、激光器、先进封装和系统散热之间还需要更紧密的协同。
后续观察重点包括：这家已完成认证的云基础设施客户何时扩大部署；联电能否在2027年如期开放通用平台并吸引更多设计客户；每通道400G器件能否在功耗、误码率和可靠性上达到商用要求；以及先进封装和测试成本能否随出货规模下降。只有当客户数量、量产良率和封装生态同步成熟，当前技术里程碑才会转化为持续的订单与营收。
总体来看，此次合作的产业意义不在于单一批次晶圆，而在于证明硅光子正从少量客制化生产迈向可复制的晶圆代工模式。随着AI基础设施对带宽、延迟和能效的要求持续提高，竞争焦点将逐步从光子器件性能延伸至12英寸制造、先进封装、测试和客户量产支持能力。联电能否借此建立差异化的硅光子代工平台，将成为其下一阶段技术与业务转型的重要观察点。
