SK海力士启动端侧AI“3D堆叠DRAM”研发

SK海力士正在加速研发被视为面向终端AI的下一代DRAM的3D堆叠DRAM。据报道，该公司近期已开始招募人才，与一家美国客户合作共同设计相关技术。

3D堆叠DRAM-on-Logic设计是一种将存储器直接堆叠在逻辑半导体（系统半导体）之上的下一代半导体技术。它有望在生成式AI之后，成为物理AI时代终端边缘AI设备的核心半导体。

据业内人士7月24日透露，SK海力士目前正通过其位于圣何塞的美国子公司招聘3D堆叠DRAM-on-Logic设计工程师。

这是SK海力士首次在3D堆叠DRAM领域招聘专业人才。鉴于这项技术作为下一代终端AI存储半导体备受关注，此举被视为该公司积极为商业化做准备。

据悉，SK海力士已与一家特定客户建立了合作关系，共同应用这项技术。

该公司在招聘公告中解释道：“我们正在寻找能够与美国客户紧密合作，领导3D堆叠DRAM逻辑芯片联合设计的优秀人才。”并补充道：“我们的目标是提供满足不断变化的技术要求和市场需求的芯片设计方案。”

具体而言，SK海力士正在招聘负责3D堆叠DRAM逻辑芯片设计的人员。 3D堆叠式DRAM逻辑芯片是一种前沿的堆叠技术，它将DRAM直接垂直堆叠在系统半导体之上。

与简单地将两个芯片上下堆叠的封装式封装（PoP）相比，这项技术可以显著缩短芯片之间的距离，并在相同面积内实现更多的数据传输通道（I/O）。因此，数据传输延迟得以降低，能效和空间利用率也得到提升。

据SK海力士称，这项技术主要面向设备端AI市场。由于设备端AI需要同时具备高内存带宽和低功耗，因此PoP结构在性能实现方面存在局限性。

移动应用处理器（AP）被认为是最具发展前景的应用领域。移动应用处理器是智能手机的“大脑”，该领域采用最先进的代工和封装工艺，以实现设备端AI功能。苹果和高通是该领域的代表性设计公司。

对此，台积电开发总裁安铉在去年四月举行的“台积电2026技术研讨会”上表示：“存储器和逻辑技术的融合是一项技术突破，它将克服现有架构的局限性，并最大限度地提升人工智能性能。” 他补充道：“我们将提供针对客户多样化工作负载优化的解决方案，涵盖定制高带宽存储器（HBM）、高带宽闪存（HBF）以及3D堆叠式DRAM-on-Logic等。”

韩中工商联盟总会成立于2008年7月20日，由韩国山东商会更名，成员包括中韩两国企业家、政治家、科研专家学者共同发起成立的国际性经贸合作组织。

总会旨在推动中韩两国在经济、科技与产业领域的深度合作与交流，致力于打造高层次、多维度的国际合作平台，促进资源整合与产业协同发展。

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同时，总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源，为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持，持续提升中韩经贸合作的深度与广度。

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