7月27日消息，国内DRAM存储芯片龙头长鑫科技今天正式登陆上交所科创板，本次上市刷新科创板有史以来最高募资规模。
公司发行定价8.66元每股，超额配售选择权行使前募集资金总额579.19亿元，扣除发行相关费用后净额576.38亿元，该金额已超过中芯国际当初不含绿鞋的初始募资规模。
若全额行使超额配售，总募资将达到666.07亿元，一举打破中芯国际532.3亿元保持多年的科创板募资纪录，跻身A股历史IPO募资前三席位。
本次发行后公司总股本668.81亿股，首日可流通股份45.03亿股，科创板新股上市前五个交易日不设置涨跌幅限制，股价波动达到30%、60%两档阈值时会触发临时停牌机制。
本次打新市场参与热度极高，网上有效申购户数突破942万户，中签率0.4714%，远高于常规新股平均水平，整体网上网下弃购比例仅0.17%，此前网上投资者放弃认购658万股，对应股份全部由承销机构包销。
长鑫科技是国内唯一、全球第四大DRAM研发制造一体化企业，在合肥、北京布局三座12英寸晶圆制造基地，持续缩小与三星、美光、SK海力士的技术产能差距。
受存储芯片周期上行带动，公司业绩实现根本性反转，上半年归母净利润区间500亿元至570亿元，彻底摆脱往年持续亏损状态，产品已批量供应服务器、消费电子终端，深度进入国内各大互联网大厂供应链，完整搭建自主可控的存储产业链配套体系。
机构测算，按照全年1500亿至2000亿净利润、20倍市盈率区间估算，长鑫科技上市后整体市值有望冲击3万亿级别。
