英特尔突破封装物理极限，2028年目标直指12倍光罩尺寸

【区角快讯】在摩尔定律逐渐逼近物理天花板的当下，先进封装技术正成为延续算力增长的关键引擎。据行业媒体披露，英特尔近期在超大尺寸封装领域取得实质性进展，其位于美国新墨西哥州里奥兰乔的工厂已成功制造出规模超越光刻掩模版12倍的超大型芯片。这一突破不仅刷新了业界对“光罩极限”的认知，更标志着当前封装能力已跃升至行业标准的8倍水平，且公司规划在2028年将这一比例进一步拓展至12倍以上。

实现如此巨大的封装跨度，核心难点在于底填材料的流动工艺控制。以采用EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术的封装为例，其底填最大流动距离需达到约43毫米，远超标准封装的22毫米。随着封装面积急剧扩大，材料流动路径变长，极易因排气不畅而残留气泡，进而严重威胁芯片的长期可靠性。

针对这一棘手难题，英特尔通过三项针对性技术改良实现了突围。研发团队首先优化了底填材料配方，在显著降低粘度的同时延长了有效流动距离，且未牺牲机械强度；其次，摒弃传统的边缘点胶策略，转而采用多点点胶方案，从而大幅缩短了实际流动路径；最后，通过精细化调整固化工艺，彻底消除了内部空洞，达成了无气泡的高可靠封装状态。

目前，这些超大规格芯片的封装尺寸已达到240毫米 x 240毫米，对应的光罩面积倍数高达24倍。值得注意的是，除面板级封装外，该尺寸在所有现有封装类型中均位居榜首。根据英特尔公布的路线图，近期其计划将封装尺寸扩展至7倍以上光罩尺寸，随后逐步迈向12倍以上的目标。而一旦引入面板级封装技术，这一数字有望飙升至50倍以上，这将为未来高性能计算及异构集成提供前所未有的物理空间与灵活性。