英特尔重金催工俄亥俄厂，EMIB-T封装良率逼近九成但基板仍卡脖子

【区角快讯】在半导体制造这场没有硝烟的战争中，英特尔正试图通过“金钱换时间”的策略来扭转局势。据最新披露的消息，这家芯片巨头正在其位于俄亥俄州的大型晶圆厂园区建设中，向员工发放高额的加班奖金。这一激进举措旨在加速工程进度，确保该占地约1000英亩（折合405公顷）的庞大园区能按计划在2031年全面投入运营，并最终实现14A及18A等“埃米时代”先进制程的大规模量产。

与此同时，英特尔在先进封装领域的另一张王牌——EMIB-T技术也传来了喜忧参半的消息。作为嵌入式多芯片互连桥接技术的升级版，EMIB-T通过在硅桥中引入贯穿硅通孔（TSV），实现了电力与高速信号从封装底部垂直传输至堆叠芯片或内存的能力。这种设计不仅支持三维芯片堆叠，更使得其成本较台积电主流的CoWoS方案降低了约50%，极具市场竞争力。目前，该技术的整体封装良率已攀升至接近90%的水平，英特尔预计将在2027年开始大规模提供此项服务。

然而，繁荣背后隐忧尚存。尽管封装环节进展顺利，但基板良率却成为了制约产能扩张的最大瓶颈，目前仅维持在50%左右。EMIB-T所需的基板结构复杂，包含由Ibiden、Shinko、Unimicron和AT&S等厂商制造的基础有机面板（内含安置硅桥的精密凹槽）、采用味之素积层膜（ABF）的介电层堆叠，以及内含TSV的硅桥本身。正是这一复杂的基板制造环节，拖慢了整体进度。供应商Unimicron近期坦言，EMIB-T仍处于早期发展阶段，当前的核心任务依然是快速提升产能并攻克良率难关。