Yole预测：2031年前，韩国将继续保持内存领先地位

Yole Group 表示，即使人工智能需求发生变化，中国竞争对手缩小技术差距，三星和 SK 海力士的大力投资仍应使韩国保持领先地位。

法国市场研究公司 Yole Group 预测，在三星电子和 SK 海力士的积极投资推动下，韩国有望在 2031 年之前保持其在全球存储半导体市场的领先地位。

该预测基于韩国政府未来五年内将该国半导体晶圆产能翻番的计划，以及三星电子和SK海力士持续的大力投资。Yole Group分析师Josephine Lau周二在加州圣克拉拉会议中心举行的FMS 2026存储半导体会议上发表了上述评论。

报告还指出，由于美国对中国的出口限制，全球存储半导体需求发生了显著变化。

去年，美国占全球存储器消费量的 52%，高于 2021 年的 37%。与此同时，中国的份额从 35% 下降到 29%，反映出美国半导体限制措施的影响。

去年，美国和中国合计占全球内存消费量的 81%，高于 2021 年的 72%。这表明全球需求越来越集中在世界两大经济体。

刘先生表示，存储半导体行业现在已经从以人工智能训练为中心的“AI 1.0”时代迈入了以推理驱动的“AI 2.0”阶段。

预计这一转变将显著缩短产品开发周期，并给存储器制造商带来更大压力。刘先生表示，虽然新产品传统上需要大约18个月的开发时间，但企业可能很快就需要在12个月内推出新产品。

因此，快速响应瞬息万变的市场状况和客户需求的能力，有望成为存储芯片制造商的关键竞争优势。

预计英伟达在人工智能芯片高带宽内存（HBM）市场的主导地位也将有所减弱。

台湾市场研究公司TrendForce的研究高级副总裁Avril Wu预测，英伟达在HBM市场的份额将从去年的66%下降到今年的58%。

造成这种下滑的原因是包括谷歌在内的大型云服务提供商，谷歌利用其自主研发的张量处理单元（TPU），积极扩大定制芯片的采用，以替代英伟达的处理器。

中国存储芯片制造商也在缩小技术差距。

Yole Group 对中国 CXMT 生产的动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的分析发现，该公司已达到业界第三代 10 纳米 1z 工艺水平，而领先的存储器制造商在 2019 年首次实现了这一技术。

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