严格统计周期：2026年7月30日—8月5日

一、本周核心结论

1. AI数据中心已成为本周最明确的功率半导体需求主线。安森美预计2026年AI数据中心相关收入将同比增长一倍以上，并获得中国服务器电源客户的平台项目，同时发布覆盖40V—650V的GaNEXUS氮化镓产品组合；英飞凌披露已签署或正在洽谈多项AI客户长期产能预留协议。AI电源需求正在同时拉动硅MOSFET、SiC、GaN、控制器和电源模块，而非仅利好单一材料。

2. 8英寸SiC竞争开始进入“工艺平台移植—客户认证—规模量产”阶段。基本半导体与汉磊科技签署战略合作协议，将共同开发并推进8英寸SiC晶圆量产，应用目标包括新能源汽车和AI数据中心。实际成本优势仍取决于外延缺陷、晶圆翘曲、器件良率和产能利用率。

3. GaN正从快充进一步进入AI电源、电机与工业应用。安森美推出GaNEXUS产品平台，英诺赛科发布集成驱动器、两颗700V GaN器件和自举二极管的半桥产品，面向220V变频家电和BLDC电机。商业化节奏仍呈分层：数据中心电源和消费电源较快，机器人与电机控制处于导入期，汽车主驱则需要更长验证。

4. AI光互连为InP及相关MOCVD设备带来独立于功率器件的新增长点。Veeco获得LUMINA+ MOCVD系统订单，用于制造数据通信所需的InP激光器；AIXTRON第二季度订单同比增长81%，主要由光电子需求推动，而功率电子设备需求仍偏弱。

二、表1：本周要闻概览

三、按区域与技术路线分类

1. 全球：硅基功率半导体

硅基MOSFET、IGBT及控制器仍是数据中心电源、工业电源和新能源汽车中成本敏感环节的基础。安森美与英飞凌本周披露的AI客户进展均属于多技术平台方案，并非全部由SiC或GaN贡献。头部IDM的竞争优势正从单颗器件参数，转向硅、SiC、GaN、驱动器和控制器的组合交付。

新能源汽车市场恢复仍不均衡。X-FAB汽车收入同比仍承压，但汽车订单和预订情况有所改善，说明汽车功率芯片库存调整接近后期，但尚未形成所有厂商同步复苏。

2. 全球：SiC

全球SiC的两条主线是数据中心设计导入和8英寸制造平台迁移。X-FAB获得3项数据中心SiC设计导入，说明SiC代工需求正从汽车扩展到服务器电源；基本半导体与汉磊科技的合作，则反映器件和模块厂商开始利用专业晶圆厂加快8英寸导入。

8英寸晶圆理论上可提高单片晶圆的芯片产出，但其经济性并非自动成立。晶圆缺陷、边缘良率、外延均匀性、翘曲和设备折旧均可能抵消面积优势。因此，后续应重点跟踪连续批次良率、正式客户认证和单位合格芯片成本。

3. 全球：GaN

安森美的GaNEXUS覆盖40V至650V，目标包括AI数据中心、机器人和工业基础设施，表明大型IDM正在以完整平台而非单款器件进入GaN市场。其优势在于可同时提供控制器、驱动、电源管理和硅/SiC器件，短板则是GaN装机基础仍弱于传统硅产品。

AIXTRON披露功率电子设备需求仍然偏软，说明GaN和SiC器件应用增长尚未全面转化为新一轮外延设备扩产。短期增长更可能来自现有产线利用率提升、客户导入和产品组合优化。

图1  GaN由快充向AI电源、工业控制和电机应用扩展

4. 全球：其他化合物半导体

Veeco的InP MOCVD订单反映AI数据中心需求正在向光通信链条扩散。InP主要用于高速激光器和光模块，GaAs广泛用于VCSEL、射频和部分光电应用。相关材料的核心壁垒包括外延层厚度控制、晶格失配、缺陷密度以及MOCVD或MBE跨批次稳定性。

本周未发现目标公司中具有量产意义的Ga₂O₃新进展。氧化镓虽具有超宽禁带优势，但热导率、p型掺杂、衬底尺寸和可靠性仍限制其近期规模商业化。

图2  AI光互连、功率器件与外延设备需求呈现不同增长节奏

5. 中国：SiC与GaN

基本半导体与汉磊科技合作，是本周中国SiC链条中最明确的制造进展。合作模式有助于基本半导体减少自建全部晶圆产能的资本压力，同时获得8英寸工艺平台和未来产能保障；但客户仍需要完成器件、模块和系统级认证。

英诺赛科的新型700V集成半桥显示中国GaN企业正从分立器件向集成化功率方案扩展。通过集成驱动器、上下桥GaN器件及自举二极管，可减少外围元件和PCB面积，但性能与可靠性仍需通过客户量产数据验证。

四、进入验证或量产阶段的技术进展

1. X-FAB数据中心SiC项目

X-FAB本周获得3项数据中心SiC设计导入，并表示原型开发活动增加，说明相关产品已进入流片、样品或客户验证阶段。对竞争格局的影响是，专业代工厂可为没有自有SiC晶圆厂的器件设计商提供更低资本门槛的商业化路径。

2. 基本半导体8英寸SiC

基本半导体与汉磊的合作目标明确包含工艺平台开发、产能爬坡和量产，但公告尚未披露首批量产时间、客户名称和良率。当前应定义为量产准备及工艺协同阶段，尚不能等同于已经形成大规模收入。

图3  8英寸SiC从工艺平台开发到量产爬坡的关键路径

3. 英诺赛科700V集成GaN半桥

ISG624x已开放样品，属于客户送样阶段。通过集成驱动器、上下桥GaN器件及自举二极管，可减少外围元件和PCB面积，有利于变频家电、风机、泵及小型电机控制，但汽车和高可靠性工业应用仍需更长认证周期。

4. Veeco InP MOCVD订单

Veeco的客户订单代表设备已经进入生产部署，而不是单纯展示。其直接受益对象是InP激光器和光模块外延制造，间接受益于AI数据中心高速互连从800G向1.6T及更高速率演进。

五、主要应用市场影响

1. 新能源汽车

新能源汽车仍是SiC最大的应用市场，但本周数据反映复苏具有区域和客户差异。X-FAB汽车业务尚未完全恢复，基本半导体则继续为新能源汽车准备8英寸制造能力。短期内，800V车型、主驱逆变器和高压充电系统仍支持SiC需求，但车企降本可能推动部分中低端车型继续采用IGBT或硅与SiC混合方案。

2. 智能电网与储能

英飞凌表示电网基础设施投资形成需求支持。智能电网、储能和固态变压器需要更高耐压、更低开关损耗的器件，为高压SiC创造第二增长曲线；但硅IGBT凭借成本、可靠性和成熟供应链，短期仍会保留大量市场。

3. AI数据中心

AI数据中心是本周最强的新增需求来源。安森美获得服务器电源项目并推出GaN平台，英飞凌锁定长期产能协议，X-FAB获得SiC设计导入，Veeco则从InP光互连侧受益。

• 高压交流输入和UPS：硅MOSFET与SiC承担高压、高效率功率转换。

• 机架和板级高频电源：GaN依靠高频率与高功率密度降低磁性元件和散热体积。

• 热插拔、控制与保护：硅功率及模拟芯片承担大量辅助功能。

• 高速光互连：InP、GaAs及相关外延工艺受益于800G、1.6T及后续高速模块。

图4  AI数据中心同时拉动SiC、GaN与InP三条需求链

六、表2：重要技术进展或新产品发布

 

七、政策、监管与供应链影响

严格统计期内，未检索到新的、已经正式实施且直接针对SiC、GaN、GaAs、InP或Ga₂O₃的重大出口限制。

本周更值得关注的是客户提前锁定产能。英飞凌的多年协议和安森美数据中心订单表明，AI客户正在通过长期采购降低功率器件供应风险。这将改善头部厂商的收入可见度，但也可能挤压未签署长期协议的汽车、工业及中小客户产能。

另一方面，AIXTRON功率电子设备需求仍偏弱，说明此前SiC和GaN扩产形成的设备产能尚未完全消化。若终端需求增长低于预期，衬底、外延和晶圆厂仍可能面临价格下降及产能利用率压力。

八、表3：竞争格局快照

注：市场份额数据分别属于2023年和2024年，且统计对象包括衬底收入、功率器件收入等不同口径，不能直接相加。

九、三大最具战略意义的趋势

趋势一：AI正在成为SiC、GaN和InP的共同需求入口

AI数据中心不是单一功率器件机会。SiC负责高压和高效率变换，GaN负责高频和功率密度，InP负责高速光互连，硅功率及控制芯片则承担大量保护、管理和辅助功能。

对投资者，应区分已经获得平台项目或长期协议的企业与仅发布AI概念产品的企业；对研发团队，功率器件、磁性元件、散热和控制算法需要联合优化；对业务决策者，应优先进入服务器电源厂商、云服务商和光模块客户的联合验证体系。

趋势二：8英寸SiC进入良率与商业交付竞争

8英寸SiC的评价标准正在从“是否建成产线”转向“能否稳定量产”。基本半导体与汉磊的合作，以及X-FAB数据中心设计导入，分别代表制造端和客户验证端的推进。后续重点跟踪连续批次良率、外延缺陷密度、器件尺寸、客户认证、单位合格芯片成本和实际产能利用率。

趋势三：GaN由分立器件转向集成平台

英诺赛科将驱动器、上下桥GaN器件及外围功能集成，安森美则推出跨电压产品平台。GaN竞争将逐步从导通电阻和耐压参数，升级为驱动、保护、封装、EMI和客户系统支持能力。

对投资者，应关注样品转量产的周期和客户结构；对研发团队，应重点验证短路耐受、动态导通电阻、热循环及EMI；对业务决策者，近期优先选择能够显著减少散热器、磁性元件或PCB面积的应用场景。

十、后续重点关注方向

• SiC衬底与8英寸制造：Wolfspeed、天岳先进、天科合达、Coherent、GlobalWafers、基本半导体与汉磊的实际量产节奏。

• SiC器件和模块：ST、onsemi、Infineon、ROHM、基本半导体、时代电气、比亚迪半导体和斯达半导的AI及车规客户定点。

• GaN：英诺赛科ISG624x客户验证、onsemi GaNEXUS平台订单，以及Navitas在AI数据中心的放量。

• InP/GaAs：Veeco订单交付、IQE和Coherent的AI光互连订单、AXT衬底需求及稳懋的光电代工进展。

• 设备端：AIXTRON和Veeco的MOCVD订单能否由光电子扩散至新一轮功率器件产能投资。

• Ga₂O₃：衬底尺寸、热管理、p型掺杂和长期可靠性；在出现稳定客户验证前，不宜仅根据禁带宽度判断商业化速度。