三星宣布，在美国再建一个晶圆厂

根据韩国媒体报导，三星电子预计于2026年底前，开始在美国德州泰勒市（Taylor）建造第二座半导体晶圆厂。同时，面对日益成长的AI客户需求，三星计画将60%至70%的记忆体产能分配给长期供应合约（LTA）。

三星晶圆代工策略行销团队负责人、副总经理Kang Seok-chae表示，德州泰勒一厂（Taylor Fab 1）预计于2026年内正式投产。而就在一厂投产后，三星将逐步扩大2纳米制程产能，并预计于2027年达成全面量产的目标。至于，泰勒二厂的商业化量产目标则设定在2030年。此外，由于客户对1.4纳米制程技术的询问度提高，三星正积极评估追加制造空间的可能性。

另外，在制程资源配置上，三星正持续将产能从成熟制程转移至高毛利的先进制程。目前，8纳米与17纳米制程、CMOS影像感测器（CIS）以及嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）需求持续强劲，且8纳米以下制程的产能利用率已接近满载。 Kang Seok-chae 指出，随着产能利用率提高、良率改善及价格回升，晶圆代工业务的获利能力将较2025年大幅改善，并有望在近期实现转亏为盈。

至于，针对记忆体业务，随着AI基础建设投资加速，长期供应合约（LTA）的重要性显著提升。三星记忆体策略行销负责人Kim Jae-jun指出，三星已与全球五大资料中心客户签署LTA，并正与另外五家大型AI相关客户进行最后谈判。由于长约需求已超过三星目前的供应能力，三星决定将高达60%至70%的长期产能用于履行LTA承诺。

据了解，三星的LTA合约通常为期5年，并设有年度展延的滚动式更新机制。针对标准型记忆体产品，合约中包含最低价格条款，以降低市场低迷时的风险。此外，为加强合约约束力，合约规定了高额的前期预付款，目前三星已收到已签署合约中约四分之一的预付款。

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