DDR5 MRDIMM服务器内存模块。图片来源：DIGITIMES
传统DRAM与NAND价格快速上涨，正在改变2026年全球存储器厂商的盈利结构。三星电子与美光科技因传统DRAM和NAND价格弹性更大，在各自最近公布的季度中获得更明显的平均售价与营收提升；SK海力士虽然继续保持高带宽存储器（HBM）领先地位，但其产能长期向HBM倾斜，使传统DRAM扩张速度相对较慢。存储器行业的利润驱动因素正从“HBM单一主导”，转向HBM与高端传统DRAM共同贡献。
传统DRAM价格成为新的利润支点
三星电子2026年第二季度DRAM位元出货量环比增长约10%至13%，在没有新增晶圆厂产能贡献的情况下仍高于行业平均。更关键的是价格：其DRAM平均售价环比上涨约44%至46%，NAND平均售价上涨约67%至69%。三星预计第三季度DRAM位元出货量仍将增长约4%至6%，NAND位元出货量增长约7%至9%。
美光科技也呈现类似趋势。在其最近一个财季中，DRAM营收环比增长约67%，平均售价上涨超过60%；NAND营收接近翻倍，平均售价上涨超过80%。相比之下，位元出货量增幅仅为低个位数至中个位数，显示本轮业绩改善的主要动力来自价格，而不是短期产能大幅扩张。
SK海力士第二季度DRAM位元出货量环比增长约7%至9%，平均售价上涨约30%；NAND位元出货量增长约15%，平均售价上涨约55%。其表现仍然强劲，但在传统DRAM价格快速上行阶段，售价涨幅低于三星和美光，使竞争差距更多体现在产品组合，而非单纯出货量。
HBM3E盈利优势收窄，但战略地位并未改变
报道援引产业估算称，6月DDR5合约价格已升至每GB约20美元，7月进一步上行；同期HBM3E价格约为每GB 12至16美元。与此同时，HBM因多层堆叠结构需要消耗更多DRAM晶圆面积，并增加堆叠、键合、封装和测试环节。若HBM单位容量售价与DDR5接近，单位晶圆所对应的经济收益差距就会明显收窄。
不过，不能仅凭“每GB价格”判断最终毛利率。HBM的堆叠层数、良率、封装结构、客户长期协议以及不同代际产品的定价差异较大。HBM4已经进入新一轮量产和客户导入，但2026年出货主体仍以HBM3E为主。HBM4导入节奏若慢于预期，会延长HBM3E占比较高的时期，从而削弱HBM产品组合快速升级所带来的利润改善。
SK海力士HBM领先形成产能机会成本
SK海力士目前仍掌握接近六成的HBM市场，在AI加速器存储器领域保持明显优势。但HBM对先进DRAM晶圆和后端工序的占用，也意味着厂商必须在HBM与服务器DDR5等传统产品之间进行产能取舍。当传统DRAM价格大幅上涨时，过去优先配置给HBM的晶圆资源就会形成更明显的机会成本。
Counterpoint Research的估算显示，三星电子DRAM营收份额由2026年第一季度的38%小幅升至第二季度的39%，SK海力士由29%降至26%，美光则由22%升至25%。这一数据属于第三方机构估算，并非三家厂商官方市场份额；但其方向反映出传统DRAM价格上涨阶段，产品组合对营收份额的影响正在放大。
长期协议将降低价格波动，存储器周期或更趋平缓
产业消息称，三星电子、SK海力士与美光已分别与大型客户签订更多长期供应协议，部分协议提前三至五年锁定供应量。此类长期协议的核心通常是保障产能和最低采购承诺，而不是完全固定未来价格，并可能设置最低价格保护或调整机制。
随着长期协议覆盖的产能比例提高，2026年下半年至2027年的平均售价涨幅可能逐步放缓。对供应商而言，这有助于降低传统存储器行业剧烈的库存与价格周期；对云服务商和服务器客户而言，则可以提高HBM、DDR5和NAND供给的可预测性。行业商业模式正在从短期价格博弈，逐步转向产能保障与长期战略合作。
产业观察：竞争核心转向“每片晶圆收益”与产品组合
本轮存储器行情的变化说明，高售价并不必然意味着最高利润。厂商需要同时比较单位晶圆可产出的有效容量、后端制造复杂度、封装与测试成本、良率以及合约价格弹性。服务器DDR5价格快速上涨后，传统DRAM在部分时期可能提供比HBM更高的边际回报，因此三星和美光能够更直接地分享价格上行。
但这并不意味着HBM战略失去价值。AI加速器对HBM的依赖仍在增强，HBM4及后续产品继续决定高端AI存储竞争格局。对SK海力士而言，下一阶段关键是如何在保持HBM领先的同时扩大高利润传统DRAM供给；对三星和美光而言，则需要把当前价格红利转化为HBM4客户认证和先进产品份额。未来存储器厂商之间的竞争，将越来越取决于产能分配、产品组合和长期客户关系，而不仅是单一产品的市场份额。
