【内容目录】
一、 SiC衬底全球市场份额最新数据
二、 SiC衬底部分上市公司的量化分析
三、 需求端对SiC市场的影响分析
四、主要企业画像对比
随着2026上半年的功率半导体涨价潮，SiC衬底市场从惨烈的价格战中得到缓解，报价持续回升。2026年6月30日，天科合达向上交所提交IPO申请，拟募资约27.8亿元，用于8/12英寸大尺寸碳化硅衬底产业化等项目。
一、SiC衬底全球市场份额最新数据
根据日本富士经济社最新报告数据，2025年全球SiC衬底市场份额如图所示。
注：1.上图为全球SiC衬底市场的数量份额，左下图为6英寸市场，右下图为8英寸市场
2.SICC天岳先进，TanKeBlue Semiconductor天科合达，Jingrui SuperSiC Electronic Materials晶瑞电子是晶盛机电的子公司
二、SiC衬底部分上市公司的量化分析
SiC衬底部分上市公司的量化分析：（上下滑动可查看）：
本报告的量化分析主要采用各公司最新的年报作为数据评估依据。同时，报告的商业动态结论主要基于对当季公开订单、合作关系的追踪与统计得出。
半导体上市企业市场表现指数－量化模型简介：
本指数是面向中国半导体上市公司的精细化评估工具，通过量化技术创新、财务健康、盈利能力、市场地位、产能与潜力这五个公开报告与报表数据中的关键业务维度，力求全面客观地细分各产品线的市场表现。
1.在“技术创新”维度中，指数使用研发投入强度指标（10%权重），直接反映企业对技术创新的资源倾斜程度；并使用研发人员占比指标（10%权重）聚焦人力资源配置质量；
2.在“财务健康”维度中，指数同时考虑短期流动性与长期偿债能力，分别以速动比率（5%权重）和“1-资产负债率”（5%权重）综合评估企业的抗风险能力。（注：由于资产负债率是负向指标，故使用此方法转化）；
3.在“盈利能力”维度中，指数按产品线营收占比分摊预估公司归母净利润的表现（20%权重），并采用产品毛利率（10%权重），解释细分市场定价能力与成本控制效率；
4.在“市场地位”维度中，指数采用分产品的营收规模（30%权重）突显市场份额与业务体量，作为行业话语权的关键锚点；
5.在“产能与潜力”维度中，指数使用资产负债表无形资产同比增长率（10%权重）衡量长期发展动能，反映产研转化效率。
最后，我们使用了Z-Score平移标准化后的各维度数据计算得出最终的指数，并直接呈现指数的绝对值。另外提醒您注意，由于半导体各板块上市公司数量不同，数据标准化的基数也不同，因此三级分类的数据不具有跨板块可比性。
注：1.量化数据取自各公司2025财年年报，与天科合达的招股书数据保持一致，天科合达目前处于上市前的问询阶段。
2.WolfSpeed已于2025.06-09进行破产重组。
3.非上市公司（如同光股份）、上市公司若SiC业务的数据披露不够详细的（如Coherent），不加入量化对比。
4.我们从晶盛机电、露笑科技、东尼电子、三安光电的年报中，提取了SiC衬底业务相关的数据。
三、需求端对SiC市场的影响分析
受AI电源需求拉动导致的功率半导体器件缺货、以及上游原材料涨价的影响，SiC衬底售价在2026年中逐渐回升，P-MOS级 8英寸SiC导电型衬底，目前报价为￥4400-4900元/片（上海有色网，2026.08.07）。
从需求端趋势来看，一方面，电车渗透率目前已较高，且受国际贸易壁垒的严重影响，导致车规SiC需求增长放缓；另一方面，AI电源及配套的智能电网/微电网基建对SiC器件的需求，成为了最快的增长赛道，正逐渐改变SiC材料端的供需关系。
但这并不意味着价格战马上就会结束，随着8英寸SiC衬底的良率爬坡+放量，以及液相法技术的不断推进，其成本会逐步拉低，叠加过去两年价格战导致的6英寸产能出清，最终的SiC衬底价格博弈，不仅需要考虑之后的供需关系，还要考虑头部大厂出于商业竞争策略，如何控制现货市场的放货节奏。
四、主要企业画像对比
（1）天岳先进
企业简介：全球宽禁带半导体材料领军者，2025年综合导电型碳化硅衬底出货市占率位列全球第一。
主要产品：提供4/6/8/12英寸导电型与半绝缘型衬底，以及全系列12英寸产品。
核心技术：设备与热场100%自主研发，首创液相法制备无宏观缺陷的P型与8英寸衬底。
市场竞争优势：8英寸产品全球市占率超50%，深度绑定博世（获卓越供应商奖）、英飞凌等半数以上全球前十功率巨头。
（2）Wolfspeed
企业简介：全球首家实现8英寸量产、掌握碳化硅基础专利群的全产业链垂直一体化（IDM）巨头。已于2025.09完成破产重组，目前全面聚焦莫霍克谷8英寸超级工厂并提前关停6寸线。
主要产品：150mm、200mm导电与高纯半绝缘型衬底及同质外延片，突破300mm单晶技术。
核心技术：基于PVT法，涵盖晶体形核调控、控制本征点缺陷的无钒高纯半绝缘技术与激光辅助剥离。
市场竞争优势：依托IP壁垒与车规级验证，锁定AI服务器电源与车载应用。
（3）天科合达
企业简介：国内最早实现碳化硅衬底产业化的专精特新先驱，导电型衬底市占率位居全球前三。
主要产品：主打6英寸、8英寸导电型单晶衬底，前瞻拓展8英寸AR眼镜用高透过率光波导衬底。
核心技术：中科院物理所技术转化，自研PVT生长炉并攻克大尺寸单晶稳定扩径与低应力切割。
市场竞争优势：形成“设备+衬底+外延”一体化交付体系，在车载逆变器与5G基站射频芯片供应链卡位极深。
（4）晶瑞电子（晶盛机电旗下）
企业简介：依托母公司设备龙头构建“装备+材料”深度协同、具备全球化布局的碳化硅新势力。
主要产品：主打6英寸、8英寸导电型与半绝缘型单晶衬底片及同质外延片。
核心技术：依托晶盛全套自研设备，攻克单晶生长温场与流场控制、低热阻高精度多线切割工艺。
市场竞争优势：形成“宁夏-浙江-马来西亚槟城”跨国联动产能，加速抢占国际市场份额。
（5）Coherent
企业简介：全球光电及宽禁带材料先驱，拥有25年以上单晶生长积淀的老牌技术硬核巨头。材料体系覆盖极广。
主要产品：150mm、200mm导电与高纯半绝缘衬底外延，研发攻克300mm热管理平台。
核心技术：特有高温退火降低缺陷工艺，攻克10kV高压级、厚度超250微米的厚膜同质外延制备技术。
市场竞争优势：取消SiC器件业务，聚焦SiC材料端，凭借低缺陷率深度卡位5G通信、高端射频与AI数据中心电源供应链。日本电装与三菱电机直接投资SiC业务。该公司的光模块业务也得到英伟达的直接投资。
（6）SiCrystal
企业简介：日本罗姆（ROHM）集团旗下材料骨干，欧洲本土技术积淀最深厚的SiC制造基地。
主要产品：主打150mm与200mm导电型（N型）单晶衬底。
核心技术：拥有超25年长晶底蕴，通过精准调控PVT炉内温度梯度，实现极低基面位错（BPD）良率控制。
市场竞争优势：深度融入“ONE ROHM”内生闭环保供体系，同时手握意法半导体大额长期供应协议。
（7）山西烁科晶体
企业简介：中国电科集团旗下、国内最早宣布研制成功并批量出货8英寸衬底的“国家队”核心主力。
主要产品：4、6、8英寸导电及高纯半绝缘型单晶衬底（已下线12英寸晶片），自研高纯粉料+配套设备。
核心技术：掌握高纯粉料合成技术，攻克PVT法超大直径单晶稳定扩径与本征缺陷控制工艺，实现设备-粉料-衬底的技术体系闭环。
市场竞争优势：保障高规格军工半绝缘国防材料安全；导电型深度绑定士兰微72万片8寸车规芯片等大额订单。
（8）同光股份
企业简介：长城汽车等整车巨头战略入股，国内具备多规格、大尺寸晶片量产能力的独角兽企业。
主要产品：4-6英寸高纯半绝缘与导电衬底，具备8、10、12英寸导电型衬底量产能力。
核心技术：PVT法高阻半绝缘晶体生长工艺，攻克超大直径温场梯度稳定性与薄片低应力加工难题。
市场竞争优势：获长城、北汽等资本深度注资，锁定制胜的车规级销售壁垒，驱动电力电子与射频业务双向放量。
