展商专访｜深圳爱仕特：全链条自研碳化硅，顶部散热封装 + AI SST 器件方案重磅发布

Q&A

A:PCIM是电力电子行业最具影响力的专业平台，这次来到深圳，我们最期待的就是和产业链上下游的伙伴多交流、多协同，一起把国内碳化硅生态做扎实。

这次展会我们带来了三大核心成果：

一是爱仕特的第四代SiC MOSFET平台，这款技术2025年就实现量产，到现在已经稳定交付一年多，1200V/10mΩ、1700V/14mΩ的关键指标都达到国际先进水平，兼容15V/18V驱动，还拿到了“中国芯”优秀技术创新产品奖。

二是今年3月陆续发布的顶部散热封装SiC MOSFET，一共TOLT、QDPAK、DT3PAK 三款，是我们针对行业散热痛点打造的核心产品。传统封装热量要先经PCB再散出，效率受限；这三款采用顶部直出散热设计，热量直接传导到散热器，彻底突破PCB导热瓶颈，散热效率大幅提升。产品体积紧凑，兼顾散热与小型化，特别适合空间有限的场景，电压覆盖650~1200V，多档导通电阻可选，能满足新能源汽车、工业等不同领域的需求。

三是AI数据中心专用的固态变压器SST全套器件方案，覆盖650V到1700V全电压等级，搭配行业通用的62mm、Easy2B标准封装，以及我们的MED系列，可直接适配 EconoDual标准半桥模块，完美匹配SST全链路AC-DC、DC-DC、DC-AC转换需求，标准品直用、联合定制都支持，落地更灵活。

A:我们非常认可这个判断，这不是短期风口，而是未来十年功率半导体最核心的增长动力。新能源和AI算力对电能转换的效率、功率密度、可靠性要求极高，刚好是碳化硅的核心优势。

爱仕特的战略布局很清晰，分两大板块：

新能源是我们的战略基石，核心聚焦车规级碳化硅芯片和模块，目前已经批量供货华南、华东等头部车企，目标是成为头部车企超高压电驱平台的核心供应商；同时在充电桩、电动重卡、工业电源等领域，我们也实现了稳定放量。

AI算力是我们重点发力的增长极，我们不追花哨的封装热点，而是扎根客户实际工程需求。针对数据中心高密度供电的痛点，我们围绕当下主流的固态变压器SST架构做了专属产品布局，用全电压、多标准封装的组合方案，精准匹配SST的系统设计需求，实实在在解决效率、散热和长期可靠性问题，这也是我们目前增长最快的业务方向。

资源分配上我们保持7:3的比例，70%投入新能源稳住核心基本盘，30%投入AI算力抢占新市场，后续会根据业务发展灵活调整。

A: 在车规应用里，SiC、GaN、IGBT更多是互补关系，各有各的适用场景。

SiC耐压、耐高温、大功率能力突出，适配800V、900V以上高压平台，是主驱逆变器、车载OBC、DC-DC的首选方案。

GaN高频高效优势明显，但以中低压应用为主，目前主要用在OBC、DC-DC 这类中功率场景，主驱逆变器还没到大规模车规落地的阶段。

IGBT则依靠成本优势，牢牢占据10万元以下经济型电动车的市场。

未来五年，车规功率器件会形成SiC主导高端车型、IGBT守住经济型市场、GaN切入增量场景的格局。

主驱逆变器的SiC替代拐点，2026年已经正式到来。现在800V高压平台已成行业标配，20万以上的新车基本都标配SiC，再加上8英寸产线推进带来的成本下探，SiC 的渗透率会快速提升。

A: 国内功率半导体的国产替代，已经从中低端普及，走向车规、AI算力这类高端市场的关键突破期，尤其是碳化硅领域，变化非常明显。过去市场被国际巨头垄断，现在以爱仕特为代表的国产厂商，已经实现车规级产品批量上车、高端工业领域进口替代，市场份额在快速提升。

高端市场我们面临的挑战主要有三点：

一是长期可靠性的市场验证，车规和数据中心都需要海量时长的运行数据来积累口碑，这需要时间沉淀。

二是产业链生态协同，驱动芯片、封装、测试等上下游配套，还需要进一步成熟完善。

三是品牌信任度，国际客户和头部车企对国产器件的认可，需要我们持续用稳定的产品和交付来兑现。

但我们对国产替代充满信心，爱仕特全链条自研、车规批量量产、千万级出货的实力，已经让我们站在了国产第一梯队，未来会继续深耕，扛起国产碳化硅的大旗。

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