总投资5.2亿元,臻宝科技投建半导体零部件研发生产基地

半导体产业纵横 2026-08-10 19:06
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聚焦碳化硅氮化铝高纯硅三大关键材料的零部件。

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近日,臻宝科技发布公告披露,旗下全资子公司武汉臻宝计划动用上市超募资金2.5亿元,投建半导体零部件研发生产基地项目。该项目整体总投资额达5.2亿元,建设周期设定为三年,项目建成投产后,将集中发力碳化硅材料及配套零部件、高纯硅精密构件、氮化铝陶瓷材料与元器件三大核心赛道。

伴随国内晶圆制造产业持续扩产浪潮,国内多条12英寸成熟制程与先进制程产线陆续投产爬坡,各大头部晶圆工厂持续释放新增产能,半导体精密零部件、特种陶瓷、硅基耗材、碳化硅构件作为晶圆生产、刻蚀、薄膜沉积、扩散等核心工艺环节的刚需耗材,市场需求迎来持续性上涨。长期以来,高端半导体精密零部件、宽禁带半导体配套构件市场一度由海外厂商占据主要份额,随着半导体产业链自主可控进程稳步推进,晶圆厂出于供应链安全、交付周期、售后响应、成本管控等多重考量,纷纷加速导入本土合格供应商,持续开放本土化验证与批量采购通道。本土零部件企业迎来难得的发展窗口期,但产能供给速度未能跟上晶圆产能扩张节奏,行业交付缺口日渐凸显,晶圆制造企业迫切需要本土配套厂商同步扩充产能,匹配产线扩容节奏,稳定耗材供给链条,庞大且长期稳定的下游订单需求。

公告信息显示,臻宝科技现有生产基地产能早已处于满载运转状态,在手订单饱满,订单排产周期不断拉长,现有产能已经难以承接下游晶圆厂持续新增的配套需求,产能瓶颈逐渐显现,限制了公司营收规模进一步扩张。在此背景下,公司借助科创板上市募集的富余资金加码产业建设,一方面能够有效破解当下产能不足的现实难题,缩短订单交付周期,提升客户服务能力;另一方面借助新项目搭建更大规模的研发与生产平台,深耕碳化硅、高纯硅、氮化铝陶瓷前沿材料领域,丰富产品矩阵,拔高产品技术层级,深度绑定国内头部晶圆制造客户,持续拓宽业务增长边界。

据了解,臻宝科技打通了上游基材制备到下游精密加工、表面涂层处理的全流程体系,构建起“原材料研发制造+精密零部件加工+高致密表面涂层处理”一体化业务架构。基材端,公司自主掌握大直径单晶硅棒、多晶硅棒制备工艺,攻克CVD法高纯碳化硅超厚材料量产技术,同时具备氮化铝陶瓷造粒粉体研发生产能力;加工端,深耕硅、石英、碳化硅这类硬脆材料超高精度切削、塑形工艺,适配半导体严苛的尺寸公差要求;表面处理环节可完成高致密防护涂层制备,能够大幅提升零部件耐高温、耐腐蚀、抗等离子冲刷性能,适配晶圆制造复杂严苛的工艺环境。多品类材料叠加全流程工艺储备,让公司可同时覆盖硅基传统半导体耗材与碳化硅、氮化铝等第三代半导体配套零部件,顺应功率半导体、射频芯片产业上行趋势,适配晶圆厂多元化耗材采购需求。

臻宝科技于2026年6月24日正式登陆科创板,业绩层面,2026年一季度实现营业收入2.23亿元,同比增幅34.93%;归母净利润达到5102.55万元,同比增长72.38%。公司同时预告了上半年经营预期,预计2026年上半年营收区间为4.72亿元至4.92亿元,同比提升28.83%至34.29%。

从项目布局方向来看,武汉区位优势显著,地处中部半导体产业集聚地带,周边汇聚众多晶圆制造、半导体设备、封装测试企业,产业集群效应突出,便于公司就近对接下游客户开展产品验证、技术对接与售后服务,有效压缩物流成本与响应时长。项目三年建设期内,公司将同步推进产线搭建、设备采购、工艺调试以及新品研发工作,重点攻坚高纯硅精密零部件量产、大尺寸碳化硅零部件产业化、高性能氮化铝陶瓷元器件研发落地。碳化硅零部件可适配功率器件晶圆制造环节,契合车载功率芯片、AI算力电源芯片的产业热潮;氮化铝陶瓷凭借优异导热性能,广泛用于半导体封装、功率模块散热基座;高纯硅零部件则是逻辑芯片、存储芯片晶圆产线刚需耗材,三大品类锚定当下半导体产业核心增量赛道。

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