高盛研判内存周期：涨势延续至2027年中，但“稀缺红利”已见顶

【区角快讯】
当华尔街对半导体存储周期的看法出现裂痕，高盛的报告试图在多空博弈中寻找平衡点。分析师Sean Johnstone指出，市场对于内存价格的未来走向分歧明显，双方论据均具说服力。乐观阵营坚信，HBM与DRAM的订单能见度已拉长至2027年，长期协议锁定了利润底线，这意味着价格仍有70%至80%的上行潜力。

然而，空头视角则更为谨慎。他们观察到价格增长的“二阶导数”已经转负，暗示涨价动能正在衰减。预计明年第二或第三季度可能触及峰值，随后迎来小幅回调。这一判断并非空穴来风，行业内部高达80%的利润率正倒逼客户重新设计芯片，以降低对昂贵内存的依赖。此前传闻英伟达考虑削减Rubin Ultra的HBM堆叠规格，SemiAnalysis测算显示，此举有望将单机架HBM成本占比从近40%压缩至28%，这恰恰印证了空头的担忧。

值得注意的是，马斯克近日也发声指出供需失衡的严峻性：需求激增200%，而供给仅增长20%，且新增产能主要集中于HBM领域。高盛的核心结论是，尽管上涨趋势至少会维持到2027年年中，但由“稀缺性”驱动的超额收益阶段已然结束。保守投资者已将板块市盈率预期从5倍大幅下调至2-3倍。未来的价格空间，将取决于长协是否引发新增产能，以及HBM放量是否会挤压传统DRAM和NAND的供给份额。