英特尔欲以XBM技术破局，前SK海力士CEO回归操盘存储业务

【区角快讯】曾凭借内存技术奠定江湖地位的英特尔，在剥离闪存业务并终止傲腾产品线后，一度缺席了AI浪潮的核心赛道。如今，这家芯片巨头正试图通过一项颠覆性的存储架构重返牌桌。英特尔首席执行官陈立武近期在Deep Tech VC Podcast节目中坦言，过去视存储为普通商品而缺乏投入，但面对新技术的涌现，公司策略已发生根本性转变，他个人尤为看好新型存储架构的研发前景。

值得注意的是，英特尔近期召回了一位关键人物——李锡熙（Seok-Hee Lee）。这位曾在90年代至10年代担任英特尔工程开发主管的老将，后续执掌过SK海力士及SK On电池公司。尽管其现任职务是晶圆制造副总裁，但鉴于其深厚的存储背景，业界普遍推测他将主导英特尔的存储芯片复兴计划。陈立武口中备受青睐的新架构，极大概率指向此前曝光的XBM（扩展带宽内存）技术。

从技术原理看，XBM并非对现有HBM的简单修补，而是采用了后端晶体管设计的超高带宽存储器。其核心创新在于将每个存储单元中的晶体管与电容（1T1C结构）移至芯片堆栈的后端DRAM层。这种“后置”设计大幅提升了面积利用率，同时降低了功耗。据预估，XBM的带宽有望达到HBM4的两倍。虽然该技术不太可能完全取代未来的HBM标准，但这无疑是英特尔在AI算力竞争中亮出的底牌，旨在以低功耗高带宽特性切入市场。

然而，理想与现实之间仍有距离。XBM从专利验证走向大规模量产，预计仍需数年时间。对于英特尔而言，这是一场与时间的赛跑：既要抓住AI爆发的窗口期，又要避免在三星、海力士和美光等竞争对手面前落后太多。能否在2030年前实现商业化落地，将是检验这一战略成败的关键。