展商快讯 | 银河微电发布1200V SiC MOSFET系列新产品

     本次发布的三款1200V SiC MOSFET新品，针对性适配高功率、高速开关、小型化高密度等不同行业需求，构建起多元化、场景化的国产SiC封装产品矩阵。

      核心规格：1200V、76A、32mΩ

     该产品主打高功率、高稳定性应用场景，广泛适配新能源汽车、大功率电源、工业功率电子等领域。研发团队对芯片互连结构、整体封装方案、生产工艺进行全方位优化，顺利完成结构建模、样品制备及全维度性能评价，性能指标对标行业主流高端产品，可满足工业及车载高负荷工作需求。

      核心规格：1200V、76A、32mΩ

      同款高压大电流规格，搭载Kelvin源极专属设计，有效隔离驱动回路与功率回路，大幅降低寄生参数干扰，完美适配SiC器件高频、高速开关的核心特性。目前，该产品已顺利通过第三方权威可靠性验证，具备成熟的定型条件和商业化导入能力，可为高端功率变换设备提供高性能、高可靠的国产替代解决方案。

      核心规格：1200V、76A、40mΩ

      聚焦行业小型化、高频化、高功率密度的发展趋势，这款QFN封装新品突破传统封装体积限制。团队创新融合无压银烧结先进连接技术，针对性优化封装结构、热管理系统与长期可靠性，为SiC功率器件表面贴装、高密度集成提供全新技术路径与产品方案，适配轻量化高端功率设备应用场景。

     三年深耕攻坚，双方不仅实现多款新品成功发布，更构建了从科研创新到产业落地的完整生态链条。目前，车规级TO-247系列产品已成功调试通线、具备量产能力。在产品研发迭代的同时，团队同步凝练核心技术成果，形成学术论文、核心知识产权、行业标准多维成果体系，实现技术创新、理论沉淀、行业赋能同步推进。

      除此之外，本次校企合作也搭建起完善的人才共育平台。通过常态化技术培训、双向技术交流、产业需求对接，打通高校科研人才培养与企业产业实践的壁垒，实现科研创新、工程落地、人才培育深度融合，为国内半导体行业储备优质核心人才。

     校企合作为人才共育搭建平台，围绕 SiC 器件相关技术开展多场培训交流，双向互通技术方法与产业需求，实现科研、工程实践与人才培养协同发展。