英伟达Vera Rubin平台放量，NAND闪存价格应声反弹

【区角快讯】当AI算力的军备竞赛从核心芯片蔓延至存储介质，市场的风向标已悄然转向。据TrendForce最新观察，随着英伟达新一代Vera Rubin平台出货量稳步爬坡，其对存储资源的渴求不再局限于HBM，而是强势渗透进NAND闪存领域。这种需求外溢效应，正在重塑现货市场的定价逻辑。

数据不会撒谎。自6月探底以来，TLC NAND闪存现货价格走出了一条陡峭的反弹曲线。本周报价较上周上扬4.97%，若将时间轴拉长至三周前，累计涨幅已达11.6%。尽管英伟达绝大部分TLC NAND供应早已通过长期协议锁定，但平台规模化落地带来的实际增量，依然对现货市场形成了不可忽视的传导压力，迫使价格连续上行。

供应链层面的动作更为密集。此前已在通用DRAM、HBM及晶圆代工领域与英伟达深度绑定的三星，如今将合作版图进一步拓展至NAND闪存。据悉，三星已向英伟达大批量交付第9代V-NAND闪存，并正加速推进第10代V-NAND的量产进程，旨在精准匹配英伟达CMX架构的存储需求。

与此同时，铠侠也拿出了针对性极强的解决方案。其今年推出的新款CM10系列PCIe 6.0 SSD，首次搭载第十代BiCS FLASH TLC闪存，专为CMX架构量身打造。该产品在顺序读取性能上较前代提升约92%，随机读取性能亦增长约85%，更支持直接冷板液冷散热，在高性能计算场景下展现出显著优势。

整体来看，英伟达AI平台对存储生态的拉动效应，正从HBM向NAND纵深扩散。原厂供应格局与产品迭代节奏随之加速调整，NAND市场有望在AI算力扩张周期中持续受益。