韩国存储双雄，竞相扩建新厂

三星计划今年启动投资50万亿韩元的泰勒晶圆厂，并计划扩建1.4纳米晶圆厂以对抗台积电的1.6纳米晶圆厂。SK海力士在美国工厂扩大交易和技术联系后，正在考虑在日本建厂。此举旨在先发制人，应对中国在产能和追赶方面的挑战。

三星电子 (005930.KS) 和 SK 海力士 (000660.KS) 正在加速竞争，力图在全球建立生产基地，并实现创纪录的股东回报。两家公司都计划通过提高股东回报来最大限度地扩大市场主导地位，从而跻身大型科技公司市值之列；同时，它们还在主要国家建立生产基地，并加强产能和与大型科技公司的合作关系。

据业内人士21日透露，三星电子正积极推进其位于德克萨斯州泰勒晶圆厂1.4纳米（nm，十亿分之一米）工艺产能的扩建。由于台积电计划在第四季度开始量产1.6纳米芯片，超越其目前领先的2纳米工艺，三星希望通过进入1.4纳米工艺阶段来巩固其技术优势。消息人士称，三星此前曾表示正在评估1.4纳米工艺扩建计划，如今已基本敲定该计划，并正迅速推进实施。

在此之前，三星计划在年内投产其位于泰勒的首座工厂，并于今年年底破土动工兴建第二座工厂，目标是在2030年投入运营。三星计划在泰勒工厂总投资370亿美元（约合51万亿韩元），以迅速满足附近大型科技公司对人工智能（AI）芯片的激增需求。随着全球晶圆代工产能趋紧，三星上个月将主要客户的4纳米芯片生产价格提高了至多15%。此外，三星还决定在韩国湖南地区建设一座价值400万亿韩元的存储器工厂，目前正在推进增建一到两期的计划。

SK海力士计划在包括韩国、美国和日本在内的主要国家拓展其全球生产基地。尤其值得一提的是，有传言称将在日本新建一座存储器工厂，因为日本拥有完善的材料、零部件和设备全球生态系统。SK集团董事长崔泰元在6月接受《日本经济新闻》采访时暗示了在日本建厂的可能性，称日本是“绝佳的候选地点”，据报道，后续的选址考察等工作正在进行中。SK海力士一直在加强与日本本土产业的联系，早在2018年就对日本NAND闪存制造商铠侠（Kioxia）进行了早期投资，并于近期成为其实际最大股东。

在美国，继投资38.7亿美元（约合5.3万亿韩元）在印第安纳州西拉法叶建设一座封装（后端）工厂后，SK海力士正在考虑建设其首座前端晶圆厂。目前，该项目也处于选址阶段。如果计划得以实施，该公司将拥有一套系统，能够在前端晶圆厂生产先进的DRAM，并在印第安纳州的晶圆厂将其封装并验证为高带宽内存（HBM）产品，然后快速供应给附近的科技巨头。印第安纳州的晶圆厂将于本月27日举行奠基仪式，并于2028年第二季度投产。

这两家公司积极拓展全球生产基地，是其“双兔战略”的一部分——一方面提前提升芯片产能以满足大型科技公司的需求，另一方面拓宽与它们的合作基础，以追求技术优势。由于大型科技公司总部设在美国，而全球材料、零部件和设备公司则集中在日本，建立本地基地将使这两家公司能够与这些合作伙伴紧密合作，开展贸易、联合研发和人员交流等工作。

尤其需要注意的是，为了不给长信存储科技（CXMT）和长江存储科技（YMTC）等中国企业可乘之机，使其利用供应短缺蚕食市场，韩国必须首先大幅提升对大型科技公司的供应量，从而展开一场规模战。同样，为了应对中国在老旧存储器领域的扩张，并抢占先机开发需要与大型科技公司客户协调的新技术——例如定制HBM和下一代基于NAND闪存的AI存储——建立本地化的合作基础也变得至关重要。

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