HBM4 为了绕开存储墙,却撞上了另一堵墙

半导体行业观察 2026-08-22 09:21
HBM4 为了绕开存储墙,却撞上了另一堵墙图1


编者按



本文是由摩元智库提供的“不可能三角”系列文章第二篇,其中的产业观点和模型测算源自其AI算力底座系列研报,不代表“半导体行业观察”官方观点。若对相关分析报告感兴趣,可通过文末联系方式跟摩元智库分析师直接交流。



内存不够就多建厂。过去几十年,这招一直管用。


这一轮不灵了。


原因不在建厂速度,在这个缺口的性质:它差在速度上。量可以靠产能补,速度不能。


所以真正该问的不是什么时候能建够。当扩产这条路本身就填不平缺口时,产业会走哪条路?


答案是置换。而置换的账单,最后记在了一个谁也没想到的地方。


1

建厂提高的是总量,缺口差的是增速


算力的胃口按倍数涨,内存的供给按三成涨

需求这边:大模型每生成一个 token,都要把它在各层注意力里产生的中间结果留下来供后续复用。生成到第一千个 token 时,前面999个的中间结果都还留着。这堆东西叫 KV Cache。


它随上下文长度线性增长。上下文翻一倍,至少要多出一倍可用内存。


供给这边:高带宽内存的单代容量增幅,大约在三成的量级。


缺口就出在这里。这不是同一个量级的赛跑。


有点像在一台会自己加速的跑步机上跑步。你确实跑快了。但跑步机加速得更快。你没有原地不动,你在后退。


所以多建几座厂这个直觉,从一开始就答非所问。建厂提高的是某一年的总量,而缺口差的是增速。


HBM4 为了绕开存储墙,却撞上了另一堵墙图2

图 1|需求按倍数走,供给按三成走。注:机制示意,非实测值;纵轴为相对量,起点归一化为 1。资料来源:摩元智库整理。


这堵墙不是存不下,是喂不上

存储墙常被理解成数据存不下。容量当然是约束,上面那条剪刀差讲的就是容量。但即使容量够了,只要数据到达计算单元的节奏跟不上,算力照样空转。


一个反直觉的事实:哪怕换上顶配高带宽内存,推理解码阶段依然供不上数。


因为带宽管的是一次搬多少,时延管的是等多久。解码阶段访问细碎、频繁、前后依赖,换介质消除不了等待本身。


所以真正卡脖子的,从来不是仓库大小,而是传送带的速度。


2

想扩产,产能已经不在自己手里了


那原厂多建几条线不行吗?


行,但有三重约束,第一重最出人意料。


HBM4 为了绕开一堵墙,撞上了另一堵

提高高带宽内存的带宽,物理上只有两条路:把频率推得更高,或者把接口做得更宽。


前一条已经走到头了。频率已到物理极限,再推高,功耗和信号完整性将非线性恶化。


所以 HBM4 选了后一条:把外部接口位宽从 HBM3E 的 1,024 位直接翻倍到 2,048 位。


但接口翻倍的代价,全压在了底层那颗逻辑芯片(base die)上。


高带宽内存是一叠 DRAM 晶粒垂直堆起来,最下面压着一颗 base die,负责数据怎么进出。要在同一颗 base die 里管理翻倍的通道数、翻倍的走线和相应的控制逻辑,DRAM 厂的成熟制程已经不够用。逻辑密度、功耗、面积,三项同时吃紧。


base die 只能交给逻辑代工厂,用做处理器的那套节点来做。SK 海力士在 2024 年 4 月宣布,将采用台积电的先进逻辑制程制造 HBM4 的 base die,节点是 12 纳米与 5 纳米两档。此前所有世代,这颗芯片都由自家产线完成。


这个变化的意义比听上去大得多:


这是存储厂第一次需要去买逻辑代工产能。


在此之前,高带宽内存的成本结构基本掌握在 DRAM 厂自己手里,产线是自己的,良率是自己的,扩产节奏是自己定的。现在不一样了:它的一部分成本和交付节奏,取决于另一家公司先进制程产能怎么分。


而那家公司,同时还供着全球几乎所有的 AI 芯片。


严格说这不算抢同一条产线。base die 走 12 纳米和 5 纳米,AI 加速芯片在更先进的节点上,两者抢的是同一家代工厂的产能分配与排期。但对一个此前从不需要排这个队的行业来说,队伍本身就是新的。


HBM4 为了绕开存储墙,却撞上了另一堵墙图3

图 2|HBM4 为了绕开一堵墙,撞上了另一堵。资料来源:JEDEC HBM4 标准、SK hynix 与台积电公告,摩元智库整理。


卡口在后道,不在前道

高带宽内存的产能瓶颈,不在前道DRAM,在后道堆叠。


层数越叠越高,晶圆就要磨得越薄。极薄晶圆在堆叠、加热、加压中翘曲;一叠内存里成千上万个垂直互连通道,对位精度一失控,整叠报废。


深孔刻蚀的应力、翘曲、对位精度,三者环环叠加,卡死了良率。


所以扩产不是多开几条 DRAM 产线就够的。前道晶圆可以按计划下线,后道堆叠与键合的产能上不去,一切只是库存。


前两重可以解,第三重解不了

前两重都是工程问题。代工产能会扩,后道良率会爬。给足时间和资本,都有解。


第三重没有解。哪怕逻辑代工敞开供货、后道良率一夜到顶,扩出来的也只是这一代的产能,需求那条斜率,不会因为你扩产就变平。前两重决定这一代能交多少,第三重决定的是:只要两条斜率不变,追平永远不会自己发生。


为什么第三重无解?因为带宽是有能耗单价的。


频率推到极限,功耗超线性飙升,这条路被物理规律关死。只能改走位宽,代价是base die的逻辑复杂度翻倍,成熟制程扛不住,必须换先进制程。而先进制程的产能,正被全球AI芯片占满。存储厂第一次需要为了一颗内存芯片,去排逻辑代工的队。


而这条队,不是花钱就能插队的。


3

同一片晶圆改做 HBM,

比特产出只剩三分之一


扩产填不上增速差,但还有第二个变量在收紧:置换。


这条机制有一个很硬的来源。美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在 2024 年 3 月的财报电话会上说过:

全行业范围内,在同一制程节点上产出同样多的比特,HBM3E 消耗的晶圆供给大约是 DDR5 的三倍。


2025 年 12 月的电话会上,他再次提到这个三比一置换比,并补充说:这个比值只会随着高带宽内存的世代推进继续上升。


这句话要按原口径理解,它在传播中经常被讲错。

它说的是:产出同样多的比特,不是做同样多的芯片。HBM是堆叠结构,一颗HBM芯片底下压着十几层 DRAM die,每层都要占晶圆面积。所以同样一块晶圆,切 DDR5 能出的比特数,切 HBM 就只剩三分之一。


同一片晶圆像同一块地。种普通内存,一亩地收三份粮;改种高带宽内存,同样一亩地只收一份。地没有少,产出少了。


所以只要原厂把产能往高带宽内存倾斜,通用内存的供给就会被物理性地稀释。这里不需要任何关于厂商动机的假设。即便原厂只是按毛利把晶圆分给更赚钱的产品线,结果也一样。


一个旁证:同一轮周期里,DRAM 紧到要排配额,NAND 却没跟着紧。闪存产线根本不在这场置换里。一条机制,解释了两条分叉的曲线。


层数越叠越高,置换效率越低

置换有上限,而上限写在良率上。


HBM是堆叠结构,层数越多,翘曲、对位精度、应力叠加三项同时恶化,每片晶圆能切出的合格颗粒就越少。这不是某家厂商的工艺短板,是物理方向。


接回上一节的3:1,那是良率完美时的理论值。良率一跌,同一片晶圆实际贡献的比特再打一层折,3:1变成4:1、5:1。置换比不是常数,它跟着层数一起恶化。


而且恶化的速度在加快。从8层到12层,良率掉一截;从12层到16层,掉得更狠。每多叠一层换来的带宽增量是固定的,良率损失却是加速的。越往后,同样的带宽进步要拿越多的通用内存供给来换。


HBM4 为了绕开存储墙,却撞上了另一堵墙图4

图 3|访存这个顶点,是怎么向良率借债的。注:三个顶点描述的是同一条交付链上的相互牵制关系,不代表任何厂商在单项指标上的高低。资料来源:摩元智库研究框架。


4

攒够本钱再上桌


置换要拿现有的产能去换。这意味着在真正下场之前,你得先确认自己有没有足够的本钱承受置换期的失血。


中国厂商这一轮最让人意外的选择,恰恰印证了这条逻辑。


2026 年 7 月 27 日,长鑫存储的上市主体长鑫科技在科创板挂牌,首日涨幅 466%,总市值约 3.3 万亿元,超募约 284 亿元。


而招股说明书里的三个募投项目,合计 295 亿元,全部指向 DRAM:产线技术升级 75 亿,DRAM 技术升级 130 亿,前瞻技术研发 90 亿。


那 90 亿的前瞻项目,写的是"适配未来先进 DRAM 的前瞻技术研究"。未出现HBM


这不是缺席,是排序。一家公司在IPO窗口期、手握超募资金、且工程能力已逼近同代标杆的情况下,仍然把全部募资押注常规 DRAM,传递的信号就不是做不了,而是现在还不是时候。


研究机构 SemiAnalysis 在其上市前发布的深度报告中独立读出了同一结论,并给了一组更直接的数据:2025 年,该公司约 99% 的收入来自常规 DDR 与 LPDDR 产品。


先把钱投进能立刻变现的主业,为后面的置换攒本钱。次序没错。


而且这个次序有工程基础兜底。长鑫的DDR5良率在两年半里从不足五成爬到约九成,与三星同代产品的差距缩到约两个百分点。在拿不到最先进光刻设备的条件下,这条曲线证明了一件事:技术债可以用时间还,但本钱不能用时间攒。工程时间换不回来的,是本钱。


5

存储不是三角的旁观者


算力、带宽、良率构成的不可能三角里,存储从来不是旁观者。它就是访存顶点本身。


缺口来自增速差。扩产填不上,因为产能已有一截不在自己手里,而且卡口在后道。只能靠置换,而置换的效率写在后道良率上——层数越高,效率越低。每多叠一层去追算力的胃口,借的债就记在良率的账上。


这才是不可能三个字的真正含义。若三个顶点各有各的瓶颈,各自解决就行了。真正的难处在于,解决任何一个顶点的努力,都会加重另外两个顶点的压力。要带宽就要层数,要层数就要付良率。


同一个顶点,两副面孔。在上篇讲的 AI 芯片里,良率是制程和架构复杂度的代价;在这一篇的存储里,良率是带宽的预付款。前者是芯片为自己的先进性买单,后者是存储为算力的胃口垫付成本。账本不同,记账的人却是同一个。


6

缺口能维持多久


前五章的论证建立在一个前提上:技术迭代足够快,快到良率还没爬到位就换代了,置换效率始终被压在低位。这个前提可以被检验。


层数真正跳一档、爬到量产通常要 18 到 24 个月;而一代产品量产之后,良率爬到高位通常需要 12 到 18 个月。两个周期叠在一起,意味着只要换代间隔不超过两年,良率就永远在追,永远追不上。


但这个间隔不是物理常数。如果推理需求不再按倍数增长,或者架构上出现了不需要堆更多层就能喂饱带宽的方案,换代间隔就会拉长。良率有时间爬到位,置换效率回升,缺口收窄。


所以这个缺口能维持多久,不取决于存储厂建多少产线,取决于 AI 算力的迭代速度愿不愿意慢下来。迭代一慢,三角就开始松动。


本文摘自摩元智库AI 算力底座系列研究(包括AI芯片、存储器、供电链);完整研究将进一步拆解参数、情景与工程优先级等。







摩元智库将在上海-深圳-北京-成都四个城市举办AI芯片-服务器-智算中心产业链分析研讨会,欢迎感兴趣的半导体行业人士和投资人报名参会(所有参加人员均可免费获取本专题的完整报告)。


HBM4 为了绕开存储墙,却撞上了另一堵墙图5







*本文为产业研究内容,不构成投资建议。文中摩元智库模型结果为规范化情景测算,不对应具体企业,也不是市场预测。


参考链接

1. Micron Technology,2024 财年第二季度与 2026 财年第一季度财报电话会议记录。

2. JEDEC,JESD270-4 HBM4 标准发布公告,2025 年 4 月。

3. SK hynix,与台积电签署合作备忘录、HBM4 base die 转用先进逻辑制程的公司公告,2024 年 4 月。

4. TSMC,N12FFC+ 与 N5 制程平台官方资料。

5. 长鑫科技,首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书,2026 年。

6. SemiAnalysis,长鑫存储深度研究报告,2026 年 6 月。


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


END


今天是《半导体行业观察》为您分享的第4506内容,欢迎关注。


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