技术前瞻
当前以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体技术日趋成熟，固态断路器（SSCB）凭借微秒级故障分断、无电弧、超长寿命与可控主动保护等核心优势，正加速从特种领域走向大规模商业应用。随着AI数据中心向800V高压直流架构演进、新能源直流配网与电动汽车充电基础设施规模化部署，传统机械断路器在直流场景下面临灭弧困难、响应迟缓与维护成本高等固有瓶颈，固态断路器凭借电力电子化保护方案，正从“可选”走向“刚需”，产业化元年已然开启。
8月27日，PCIM Asia Shenzhen 2026 固态断路器主题论坛（SSCB Theme Forum）将在深圳国际会展中心（宝安新馆）16号馆A60论坛区举办。来自清华大学、山东泰开直流技术有限公司、英飞凌科技、江苏宏微科技、伊顿、杭州飞仕得科技、无锡利普思半导体、丰鹏电子及博世的企业代表和技术专家，将为与会听众带来固态断路器关键技术研究、产品开发与工程实践、专用功率半导体器件及前沿应用技术等深度分享。
核心看点
1
聚焦宽禁带半导体技术，探析 SiC/GaN 器件赋能固态断路器系统高效化路径
2
了解固态断路器在 AI 数据中心、直流微网及新能源并网场景下的产业化前景
针对超快速直流开断需求，报告首先系统阐述固态断路器拓扑构建、精细化多场建模及安全运行边界刻画、大电流开断提升、高效紧凑化散热等关键技术；然后介绍多类型多参数固态断路器产品研制；最后分享在算力中心、轨道交通、舰船、储能等多场景应用，为固态断路器技术发展和产业化提供参考。
屈鲁，副研究员
清华大学
固态断路器是直流电网故障快速隔离的核心装备，依托电力电子器件的突破，兼顾快速保护、本质无弧、数字化可控，将成为新型直流配电系统标配保护设备。本次演讲将通过以下4个方面进行详细介绍：
1、面向工程的拓扑选型；
2、功率器件工程选型原则；
3、样机研制及试验测试；
4、工程实践。
李祖磊，产品线经理
山东泰开直流技术有限公司
市场需要更加智能、快速且可靠的配电系统，英飞凌可以提供CoolSiC™产品系列满足这一日益增长的需求，赋能客户应对实际复杂挑战，即使在过载和故障等情况下仍能可靠运行。
基于CoolSiC™的固态保护方案，其中开关速度相较于机电系统快了上千个数量级，可以降低损坏风险，尽最大可能减少宕机时间并延长整个系统的使用寿命，在AI数据中心中，这种故障隔离能力有助于保护高价值的计算与存储资产，同时支持更高的功率密度与更长的系统运行时间。在固态断路器 （SSCB）、继电器和电池管理系统等工业级应用中，CoolSiC™ 器件能够在快速切断故障的同时，确保器件在导通状态下的长期可靠性。
鲍秀平
工业与基础设施业务大中华区高级市场经理
英飞凌科技
介绍双向混合固态断路器专用IGBT芯片及模块产品技术路线图、专用拓扑、器件特性，及在AIDC场景和储能场景的应用情况，覆盖5kA~20kA断路能力。
荣睿，市场总监
江苏宏微科技股份有限公司
高压电子设备在潮湿环境中面临严峻挑战：湿气入侵可引发局部放电、电化学迁移乃至绝缘击穿，导致设备烧毁、系统停机，甚至引发安全AI算力扩张推动AIDC普及800V高压直流架构，传统机械断路器分断迟缓，短路易引发连锁故障。本次分享聚焦Polaris SSCB固态断路器，介绍其微秒级无电弧分断核心优势，结合实测数据对比传统方案差异。围绕AIDC多级配电场景，解析选择性保护实现路径，分享工程落地难点与解决方案，探讨固态开关赋能软件定义配电，为智算中心直流供电保护提供全新思路。事故。传统防护手段往往顾此失彼：密封设计难以兼顾散热，灌封／涂覆的微孔或分层缺陷可能成为失效起点。本演讲系统剖析潮湿环境下电化学迁移(ECM)、阳极迁移(AMP)、局部放电(PD)、水树枝等多重失效机理，综合涂覆表面管控、工艺及设计策略，提供完整防护框架，助力提升高电压产品在高湿下的鲁棒性。
王煜晨，固态断路器产品经理
伊顿（中国）投资有限公司
本演讲围绕“先进高压栅极驱动技术提升效率与系统可靠性”展开，介绍FIRSTACK在功率半导体驱动、Power Stack及测试设备领域的技术布局。重点分享高压直流输电系统中降低损耗、提升能效的技术路径，以及通过优化栅极驱动电压降低IGBT导通损耗的方法。同时，针对高压系统短路保护挑战，介绍基于di/dt与VCE双重检测的可靠短路保护方案，实现快速响应、精准保护和系统可靠性提升。
陈哲，技术市场总监
杭州飞仕得科技有限公司
PCB嵌入式封装设计,带来优异的封装特性.
1.回路电感仅 3.x nH，较传统功率器件（>10nH）大大降低.
2电压过冲可控, 小的回路杂感带来低的电压尖峰.
3电流过冲极小,环路品质因数优异.
4.集成预驱电路,最小驱动回路设计,单电源供电,确保零电压关断可靠,开关损耗可控.
5技术路径清晰.PCB 嵌入工艺 + 短路径设计 + 小环路面积，三者协同降感
彭裔天，应用工程总监
丰鹏电子（珠海）有限公司
在固态断路器（SSCB）中，金属氧化物压敏电阻（MOV）对于钳位过电压至关重要。为防止 MOV 在清除故障后发生热失控和失效，必须可靠地阻断其电流通路以避免泄漏电流。本工作研究了使用分立式碳化硅（SiC）MOSFET 来实现该阻断的可行性。研究重点量化这些器件在遭受来自 MOV 换流路径的浪涌电流时的耐过流能力。为了评估碳化硅器件在这种极端工作条件下的鲁棒性并分析退化/破坏机制，建立了相应的实验平台。
周雯琪，功率电子技术专家
博世（中国）投资有限公司
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作为亚太地区电力电子领域标杆性行业盛会，PCIM Asia 2026 将彻底突破传统展会的单一展示逻辑，精心打造为期三日完整产业对话平台，形成“产业峰会—主题论坛—合作会议”三位一体的完整内容矩阵，为电力电子领域奉上一场兼具战略高度、技术深度与合作广度的高阶思想盛宴。
全论坛合计超190场专业技术演讲，预计汇聚3500+来自功率半导体、新能源、算力基建、车载电子等领域的研发工程师、企业高管、行业投资人与高校科研人员。 论坛内容紧扣当下产业热点，从全球产业宏观走势、国产功率器件产业化落地，到SiC/GaN宽禁带前沿工艺、AI服务器电源解决方案、新能源车电控技术、新型储能系统应用，打通从顶层战略研判到底层技术落地全链路，实现“看展品、听干货、拓资源”一站式参会价值。助力从业者精准捕捉行业风口、对接上下游优质资源。
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