新品 | 英飞凌第二代750 V CoolSiC™ MOSFET G2赋能AI服务器等下一代高性能功率变换系统

英飞凌工业半导体 2026-08-26 17:28

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新品 | 英飞凌第二代750 V CoolSiC™ MOSFET G2赋能AI服务器等下一代高性能功率变换系统图2


新品

英飞凌第二代750V 

CoolSiC™ MOSFET G2赋能AI服务器

下一代高性能功率变换系统

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CoolSiC™ MOSFET 750V G2为下一代设计带来了卓越的效率、可靠性与功率密度。凭借增强的鲁棒性、超低的开关损耗以及优化的电容特性,支持更高的工作频率和更紧凑的系统设计,非常适合电动汽车充电、光伏发电、AI服务器以及对性能要求极为苛刻的工业电源应用。


产品型号:

 IMBG75R007M2H

IMBG75R011M2H

IMBG75R016M2H

IMBG75R020M2H

IMBG75R025M2H

IMBG75R033M2H

IMBG75R040M2H

IMBG75R050M2H

IMBG75R060M2H

IMDQ75R011M2H

IMDQ75R020M2H

IMDQ75R033M2H

IMDQ75R040M2H

IMDQ75R050M2H

IMZA75R007M2H

IMZA75R011M2H

IMZA75R016M2H

IMZA75R020M2H

IMZA75R025M2H

IMZA75R033M2H

IMZA75R040M2H

IMZA75R050M2H

IMZA75R060M2H


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产品框图


应用示例:车载充电器(OBC):PFC级与DC-DC级

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产品特性


100%通过雪崩测试

业界领先的RDS(on) × Qfr

优异的RDS(on)× Qoss与RDS(on) × QG

独特的低Crss/Ciss比值与高VGS(th)阈值电压

采用.XT改进型扩散焊技术

提供驱动源极引脚


应用价值


增强的鲁棒性与可靠性

硬开关工况下具有卓越效率

支持更高开关频率

有效抵御寄生导通效应

业界领先的散热性能

降低开关损耗


竞争优势


100%通过雪崩测试

扩展的负栅极驱动电压范围(-7 V至-11 V)

增强的热性能(最高可达200°C)

相比上一代产品,优值系数FOM提升20%-35%

高VGS(th) + 低Crss/Ciss可实现0V关断

通过JEDEC认证的顶部散热封装,支持更高功率密度


应用领域


固态继电器与隔离器

固态断路器(SSCB)

电动汽车充电桩

光伏发电

不间断电源(UPS)

储能系统

电池化成设备

电信基础设施中的AC-DC电源转换

服务器电源单元(PSU)

高低压DC-DC变换器

车载充电器

断路器(高压电池断开开关、交直流低频开关、高压电子保险丝)


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