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新品
英飞凌第二代750V
CoolSiC™ MOSFET G2赋能AI服务器
等下一代高性能功率变换系统

CoolSiC™ MOSFET 750V G2为下一代设计带来了卓越的效率、可靠性与功率密度。凭借增强的鲁棒性、超低的开关损耗以及优化的电容特性,支持更高的工作频率和更紧凑的系统设计,非常适合电动汽车充电、光伏发电、AI服务器以及对性能要求极为苛刻的工业电源应用。
产品型号:
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产品框图
应用示例:车载充电器(OBC):PFC级与DC-DC级

产品特性
100%通过雪崩测试
业界领先的RDS(on) × Qfr
优异的RDS(on)× Qoss与RDS(on) × QG
独特的低Crss/Ciss比值与高VGS(th)阈值电压
采用.XT改进型扩散焊技术
提供驱动源极引脚
应用价值
增强的鲁棒性与可靠性
硬开关工况下具有卓越效率
支持更高开关频率
有效抵御寄生导通效应
业界领先的散热性能
降低开关损耗
竞争优势
100%通过雪崩测试
扩展的负栅极驱动电压范围(-7 V至-11 V)
增强的热性能(最高可达200°C)
相比上一代产品,优值系数FOM提升20%-35%
高VGS(th) + 低Crss/Ciss可实现0V关断
通过JEDEC认证的顶部散热封装,支持更高功率密度
应用领域
固态继电器与隔离器
固态断路器(SSCB)
电动汽车充电桩
光伏发电
不间断电源(UPS)
储能系统
电池化成设备
电信基础设施中的AC-DC电源转换
服务器电源单元(PSU)
高低压DC-DC变换器
车载充电器
断路器(高压电池断开开关、交直流低频开关、高压电子保险丝)
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