2026年8月27日，铠侠与闪迪联合宣布，计划到2032年在日本实施总额超过5万亿日元（约合人民币2107.65亿元）的长期投资。该投资以日本政府提供政策支援为前提条件。
根据双方声明，资金将用于四日市工厂和北上工厂的生产设备增设、基础设施更新及技术研发。过去25年间，铠侠与闪迪已在日本累计投入约9万亿日元。两家公司已于2026年1月将合资协议延长至2034年12月，确保长期协作框架稳定。
铠侠社长兼首席执行官太田裕雄表示，高容量、高性能及高能效的闪存已成为AI社会发展的重要基础，公司将持续顺应市场需求的增长。闪迪董事长兼首席执行官David Goeckeler则表示，双方数十年来持续共同开发NAND闪存技术，此次投资将进一步强化供应能力。
同日，铠侠宣布已启动位于岩手县北上市工厂的K3制造大楼（Fab3晶圆厂）的场地准备及相关建设工作。K3栋位于K2栋南侧地块，预计于2029财年内投入运营。该工厂将生产最先进的BiCS FLASH 3D闪存，主要面向推理AI及终端AI等应用场景。铠侠强调，K3栋的投资决策同样以政府支援为前提。
业界认为，此项大规模投资能否全额落地，仍取决于日本政府后续补贴政策及全球闪存价格走势。
全球半导体观察
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