国产HBM破局倒计时：两年后或迎产能爆发，金融圈担忧落空

【区角快讯】内存芯片堪称近一年来涨价最猛的品类，价格普遍飙升5至10倍，且明年缺货形势预计最为严峻。国内市场在高性能HBM领域更是面临“卡脖子”困境。针对国产HBM何时能实现“用量自由”，未来资产证券调研多家中国半导体企业后给出判断：国内距离HBM3级内存的自由供应尚需2年。基于此，他们认定中国厂商短期内不会对全球内存供需格局造成剧烈冲击。

金融界关注此事的核心逻辑，实则在于担忧中国擅长的产能扩张会导致价格崩盘。目前的结论显示，他们并不担心未来两年内存，尤其是HBM会出现供需平衡甚至过剩。但切勿被这一结论误导，其意指的是2年后达到“产量自由”，而非2年后才能生产出HBM3级别产品。

尽管具体技术细节与产能数据属于机密，综合多方消息可知，国内已具备少量生产HBM3/3e的能力，只是产能远未满足需求。这既受限于HBM本身极高的技术门槛，也受制于外部因素——生产HBM需消耗3-4倍的通用DRAM产能。在当前DDR4/5、LPDDR5X/6产能本就紧缺的背景下，国内企业难以大幅倾斜资源用于HBM生产。

令人振奋的是，2027年国产HBM3产能有望迎来一波爆发。据悉，长鑫存储明年即可量产12-hi堆栈的HBM3e内存，规模约300万至400万个堆栈，足以支撑80万至100万个AI加速器。届时，实现量产的国产厂商绝非长鑫一家。只要利润空间存在，凭借国产芯片及设备领域的爆发力，两年时间足以掀起一场扭转全球格局的产能革命。