长鑫存储HBM3E风险试产启动，年底DRAM月产能剑指35万片

【区角快讯】当全球AI算力竞赛进入白热化阶段，国产存储芯片的突围战也迎来了新的里程碑。据媒体披露，长鑫存储已正式开启HBM3E内存的风险试产流程，这不仅是其技术实力的展示，更意味着在高端高带宽内存赛道上迈出了实质性的一步。

尽管目前该产品的生产规模尚显局限，表明技术仍处于早期验证期，距离大规模放量尚有距离，但市场对其后续进展抱有极高期待。回顾长鑫过往从试产到量产的切换速度，业内普遍预测，其HBM3E有望在数周内转入大规模量产阶段，这种“长鑫速度”令人侧目。

产能扩张方面，长鑫正开足马力。预计到今年年底，其DRAM月产能将攀升至35万片晶圆，并在未来几年持续爬坡，以精准对接日益膨胀的AI与高性能计算需求。值得注意的是，长鑫在基础设施建设上展现出惊人的效率优势——建设一座晶圆厂洁净室仅需12个月，而同行通常耗时两年。这一能力为后续的良率提升与产能释放提供了坚实保障。

从技术参数看，依据JEDEC规范，HBM3E采用1024-bit位宽，单引脚速率介于9.2Gbps至12.4Gbps之间。在典型的9.6Gbps配置下，总带宽高达1.2TB/s。堆叠方案上，8层结构可提供24GB容量，12层则达36GB，足以满足AI加速器及数据中心对高带宽、大容量的严苛要求。这一系列动作，无疑将为国产半导体产业链注入强劲信心。