AI催生存储新需求，闪迪夯实技术基石

AI 的竞争，正在从“算力竞赛”走向“数据竞赛”。

随着大模型迈入万亿参数时代，推理成为AI基础设施的核心负载，海量Token与多模态数据持续涌现，数据被读取、缓存、迁移的频率远超以往。GPU 的计算能力不断提升，但真正决定系统效率的，越来越是数据能否以足够快的速度抵达算力。

这也让存储迎来角色重塑。它不再只是负责保存数据的底层设备，而是连接数据、内存与计算资源的关键枢纽。其中，先进 NAND 闪存技术与存储解决方案正以高带宽、低时延和大容量优势，支撑海量数据的高效流转，为大规模 AI 应用提供稳定而持续的数据供给能力。

<闪迪亮相于武汉举办的2026全球闪存峰会>

作为全球先进闪存与存储技术创新企业，Sandisk闪迪近段时间参加了在武汉举办的2026全球闪存峰会（FMW 2026），为大家带来了面向数据中心、智能汽车、工业和物联网的多元产品矩阵。

<闪迪公司副总裁兼中国区总经理 蔡耀祥>

与会期间，闪迪公司副总裁兼中国区总经理蔡耀祥强调：“随着大规模推理在人工智能领域变得愈发关键，数据架构正经历着根本性的变革，而创新存储技术也已成为AI基础设施的核心驱动力。作为全球半导体企业和存储技术创新者，闪迪依托深厚的技术积淀与全栈创新能力，提供多元的存储产品组合。凭借高性能、大容量、高能效的存储解决方案，闪迪正积极应对云边端日益增长的数据密集型AI工作负载需求。我们将持续推动创新，赋能客户构建高效、可靠的数据基础设施，助力他们在AI时代充分释放数据价值。”

自1986年被发明以来，历经多年发展迭代升级，NAND Flash已然成为各类设备和数据基础设施中的重要存储介质。最近几年，随着数据中心和智能汽车的崛起，NAND Flash的应用场景不断拓展，市场对存储技术也提出了新的要求，闪迪也洞察了新的需求。

在数据中心方面，随着AI 工作负载日益分化，云数据中心的存储需求也从“单一性能”走向“场景化”。计算密集型场景追求高性能、低时延与高能效，存储密集型场景则更强调大容量与高密度。为此，闪迪通过差异化企业级 eSSD 产品组合，针对不同应用提供最优存储方案，帮助客户优化数据基础设施并降低 TCO。

在2026全球闪存峰会（FMW 2026）现场，闪迪带来了针对上述市场情况的SANDISK® SN861 NVMe SSD和SANDISK® SN670 NVMe SSD。

据介绍，SANDISK® SN861 NVMe SSD是一款面向云数据中心的企业级SSD，采用 PCIe 5.0接口，兼容 NVMe 2.0和 OCP 2.0规范，提供至高16TB的容量，支持1/3 DWPD耐久规格，并提供U.2、E1.S两种外形规格版本。产品具备超低时延、高随机读写性能和更高的IOPS/Watt能效。同时，闪迪SN861新一代产品的全部接口形式和全容量都支持 FDP（Flexible Data Placement）功能，其E1.S外形规格版本还通过了NVIDIA GB200 NVL72系统认证，可满足大语言模型的训练、推理和 AI服务部署。

针对存储密集型应用，闪迪提供了大容量企业级UltraQLC™平台，提供非凡的存储容量，标志着NAND架构领域又一重要进展。基于该平台的SANDISK® SN670 NVMe SSD，容量高达256TB，旨在为构建高速AI数据湖提供卓越的性能和容量支持，并进一步支撑AI数据准备。

因应智能汽车发展对存储的性能、容量、耐久性及可靠性提出的更高要求。闪迪也在本届FMW 2026展会上展示了包含UFS与NVMe在内的车规级闪存解决方案，可以满足不同车载应用的差异化存储需求，为下一代智能汽车提供高效、可靠的数据支撑。

作为闪迪旗下首款采用UFS 4.1标准的车规级嵌入式闪存产品，SANDISK® iNAND® AT EU752 UFS 4.1嵌入式闪存驱动器的性能较闪迪前代产品提升超过两倍，顺序读取速度高达4,300MB/s，顺序写入速度高达4,100MB/s（1TB容量规格）；其容量也扩展至1TB，可支持AI系统捕捉并存储更多数据，将其上传至云端并用于AI算法优化，可满足智能网联汽车（ICVs）与软件定义汽车（SDVs）等新一代车载AI系统对存储的需求。

而SANDISK® iNAND® AT EN610 NVMe SSD则是一款支持宽温工作范围的高性能车规级存储解决方案，专为满足新一代高性能中央计算（High-Performance Centralized Computing, HPCC）架构的严苛需求而设计。SANDISK® iNAND® AT EN610 NVMe SSD采用大容量TLC闪存，为用户提供了将全部或部分存储空间配置为高耐久性的SLC模式的灵活选择。此外，该产品还采用M.2 1620 BGA封装，并拥有高达1TB的存储容量。 

在展现多元产品的同时，闪迪还在不断加码投资新技术，为未来做好充分准备。

对闪存行业比较熟悉的读者都知道，为了在满足消费者日益增长的存储需求的同时降低拥有成本，存储厂商过去通过从2D走向3D、增加堆叠层数、QLC多位元存储等技术不断提升闪存密度。

作为闪存行业的佼佼者，闪迪在过去数十年的发展中也走出了公司独特的发展道路。如上所述，公司也针对性推出了领先产品，并获得了客户的高度认可。站在这些成绩的基础上，闪迪并不止步，而是通过持续投入新技术研发和新产品，积极回应AI时代不断涌现的存储新需求。

在此前于美国举办的FMS 2026上，闪迪集中展示了一系列聚焦于AI工作负载的技术创新，覆盖高速数据湖、模型存储、检索增强生成（RAG）及键值缓存（KV Cache）等应用场景，其中包括了下一代NAND闪存、企业级SSD和HBF（高带宽闪存）等技术，以满足AI推理在容量、性能和能效方面的要求。

首先，是下一代3D NAND闪存技术——BiCS10 QLC NAND。闪迪表示，新一代BiCS10 QLC NAND闪存技术是面向AI、云和数据中心的下一代3D NAND闪存技术，树立了存储在密度、性能和能效方面的行业新标杆。

其次，是企业级SSD相关技术，集成了针对键值缓存工作负载所需的高耐久性配置需求、面向未来的PCIe® 6.0技术，以及通过减少DRAM配置而实现超高容量的E3.S设计，为未来的AI存储提供更多的支持。

此外，闪迪还展示了HBF（高带宽闪存）技术，这项基于NAND闪存的新型内存技术，旨在满足大规模AI推理持续演进的需求。

值得关注的是，AI 对存储的需求已经从“更大的容量”演变为“按工作负载优化的数据架构”。训练、推理、RAG、KV Cache 等不同应用正在催生性能型、容量型、近计算存储等多层级方案并存，存储也由单一硬件产品逐渐演进为面向场景的系统能力。这或许意味着，下一代AI基础设施的价值，不仅取决于算力规模，更取决于数据架构的设计能力。

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